[发明专利]光罩及使用其的光微影方法

说明书

一种光罩及使用其的光微影方法。光罩包含基板、光反射结构、图案化层以及多个凸块。基板具有第一表面及第二表面。光反射结构位于基板的第一表面上。图案化层位于光反射结构上。多个凸块位于基板的第二表面上。多个空隙形成于凸块之间且凸块沿远离基板的第二表面的方向突出。

技术领域

本揭露涉及光罩及使用其的光微影方法。

背景技术

半导体制造的趋势大致上朝向缩小晶片大小并同时增大其上的晶体管的数目而发展。亦即，试图在晶片上每单位面积配置更多晶体管。诸如14nm、10nm及7nm制程的多种制程被依序地引入半导体制造产业以符合此趋势。然而，随着栅极宽度(其数值亦作为制程的字首标号，诸如14nm、10nm及7nm)变小，应用于制程的光源的波长亦随之变短。当半导体制程发展至7nm制程时，由于光吸收问题，具有极短波长的光源(诸如极紫外(ExtremeUltraviolet/EUV)光源)将无法应用于习知的193nm浸润式微影制程。因此，EUV微影制程被发明以解决光吸收问题并进一步创造具有更高效能的半导体装置。

发明内容

根据本揭露的一或多种实施方式，本揭露提供一种光罩，其包含具有第一表面及第二表面的基板。光反射结构位于基板的第一表面上。图案化层在光反射结构上。多个凸块位于基板的第二表面上。多个空隙形成于多个凸块之间且多个凸块沿远离基板的第二表面的方向突出。

根据本揭露的一或多种实施方式，本揭露再提供一种光罩，其包含具有相对的第一表面及第二表面以及位于基板的第二表面中的多个凹槽的基板、光反射结构以及图案化层。基板及图案化层分别位于光反射结构的两个相对侧边上。基板的第一表面面向光反射结构。

根据本揭露的一或多种实施方式，本揭露提供一种光微影方法，其包含使用吸盘来保持光罩、使用极紫外(EUV)光源产生EUV辐射以及引导EUV辐射朝向光罩以使得EUV辐射被光罩反射。光罩具有在光罩面向吸盘的表面中的多个凹槽。当吸盘保持光罩时，至少一个微粒存在于多个凹槽中的至少一者中。

附图说明

当结合附图进行阅读时得以自以下详细描述最佳地理解本案的态样。需说明的是，根据工业上的标准实务，各种特征并未按比例绘制。实际上，为了论述清楚可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1为根据本案的一些实施例的光罩的示意图；

图2A至图5A以及图2B至图5B为根据本案的一些实施例的在基板上的各种凸块的示意图；

图6A至图6F为根据本案的一些实施例的多个凸块的触点分布的示意俯视图；

图7至图12为根据本案的一些实施例的光罩制造方法于各种阶段的示意图；

图13为根据本案的一些实施例的光微影系统的示意图。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述部件及布置的特定实例以简化本揭示案。当然，这些仅为实例且并不意欲为限定性的。举例而言，在如下描述中第一特征在第二特征之上或在第二特征上形成可包含其中第一特征及第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包含其中额外特征可在第一特征及第二特征之间形成而使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简化及清楚目的，且其本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

另外，为了描述简单起见，可在本文中使用诸如“在……之下”、“低于”、“下部”、“在……上方”、“上部”以及其类似术语的空间相对术语，以描述如诸图中所图示的一个部件或特征相对于另一(其他)部件或特征的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，此等空间相对术语意欲涵盖在使用中或操作中设备的不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或在其他定向上)，且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。