[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、依次设置于所述基板上的绝缘层和有源层；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述基板之间的导热结构，所述导热结构的导热性能优于所述绝缘层；

所述导热结构包括至少一个从所述基板至所述有源层方向延伸的导热柱；

所述导热结构包括多个所述导热柱，其中，所述有源层的沟道区域与所述基板之间的导热柱的密度大于所述有源层的其它区域与所述基板之间的导热柱的密度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导热结构为金属材料。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导热柱的两端分别与所述基板和所述有源层相接触；或者，所述导热柱朝向所述有源层的一端不与所述有源层相接触。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述导热结构位于所述有源层的沟道区域与所述基板之间。

5.如权利要求2-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导热结构还包括位于所述绝缘层和所述基板之间的导热层。

6.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

7.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板为不锈钢材料。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。

11.一种如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成绝缘层和导热结构；

在所述绝缘层和导热结构上制备有源层。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在基板上形成绝缘层和导热结构，包括：

在基板上制备绝缘层，并利用第一次构图工艺在所述绝缘层中形成至少一个过孔；

在所述绝缘层上沉积金属层，并利用第二次构图工艺形成导热结构的图形，所述导热结构包括位于所述过孔中的导热柱。

13.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在基板上形成绝缘层和导热结构，包括：

在基板上制备金属层，并利用构图工艺形成导热结构的图形，所述导热结构包括至少一个从所述基板至所述有源层方向延伸的导热柱；

在所述导热结构上制备绝缘层。