[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置。其中，薄膜晶体管，包括基板、依次设置于所述基板上的绝缘层和有源层；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述基板之间的导热结构，所述导热结构的导热性能优于所述绝缘层。上述薄膜晶体管(TFT)中，在有源层与所述基板之间设置有导热性能较优的导热结构，可以使有源层自加热产生的热量被快传地传递至基板进而导出，从而有效避免热量积累，进而可以缓解自加热效应对TFT电特性造成的影响，改善TFT电特性，提高TFT的稳定性和良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置。

背景技术

随着显示器件朝高分辨率及柔性特性的演进，低温多晶硅(LTPS)凭借其高载流子迁移率成为了不可或缺的薄膜晶体管(TFT)有源层材料，在LCD和AMOLED制造中被广泛运用。

LTPS的结构来源于金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SOI(Silicon-On-Insulator)技术，采用顶栅结构方式。有研究表明，随着漏极电压(Vd)增大及负载时间变长，有源层的自加热效应(self-heating effect)会导致TFT的阈值电压(Vth)发生漂移，且TFT沟道区面积越大，该效应影响越显著。以AMOLED常用的PMOS型LTPS TFT为例，自加热效应会使得Vth发生负偏，漏电流增大，且对于沟道面积较大的DTFT(Drive TFT)来说影响更加显著，而这对于正常显示来说显然是不希望发生的，有必要针对该问题提出解决方法。

发明内容

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置，目的是减小TFT自加热效应的影响，改善TFT的电性能和稳定性。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种薄膜晶体管，包括基板、依次设置于所述基板上的绝缘层和有源层；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述基板之间的导热结构，所述导热结构的导热性能优于所述绝缘层。

上述薄膜晶体管(TFT)中，在有源层与所述基板之间设置有导热性能较优的导热结构，可以使有源层自加热产生的热量被快传地传递至基板进而导出，从而有效避免热量积累，进而可以缓解自加热效应对TFT电特性造成的影响，改善TFT电特性，提高TFT的稳定性和良率。

可选的，所述导热结构为金属材料。

可选的，所述导热结构包括至少一个从所述基板至所述有源层方向延伸的导热柱。

可选的，所述导热柱的两端分别与所述基板和所述有源层相接触；或者，所述导热柱朝向所述有源层的一端不与所述有源层相接触。

可选的，所述导热结构位于所述有源层的沟道区域与所述基板之间。

可选的，所述导热结构包括多个所述导热柱，其中，所述有源层的沟道区域与所述基板之间的导热柱的密度大于所述有源层的其它区域与所述基板之间的导热柱的密度。

可选的，所述导热结构还包括位于所述绝缘层和所述基板之间的导热层。

可选的，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

可选的，所述基板为不锈钢材料。

一种阵列基板，包括上述任一技术方案中所述的薄膜晶体管。

一种显示面板，包括上述技术方案中所述的阵列基板。

一种显示装置，包括上述技术方案中所述的显示面板。

一种如上述任一技术方案中所述的薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

在基板上形成绝缘层和导热结构；