[发明专利]一种基于PCB嵌入工艺的全桥集成模块

权利要求书

1.一种基于PCB嵌入工艺的全桥集成模块，其特征在于，包括设置在PCB嵌入模块上的全桥功率电路、高频解耦电容、驱动电路、功率器件以及散热器，功率器件为氮化镓器件或碳化硅器件，氮化镓器件或碳化硅器件分别包括四个，通过串并联连接组成全桥电路，全桥电路连接高频解耦电容和驱动电路，与散热器连接构成嵌入式全桥集成模块，PCB嵌入模块为四层板结构，氮化镓器件设置在PCB嵌入模块的中间芯板层中，利用激光微孔技术将氮化镓器件的电极连接至PCB模块的两个中间布线层，高频解耦电容和驱动电路设置在PCB嵌入模块的顶层，全桥集成模块的引脚设置在PCB嵌入模块的底层，高频解耦电容包括四个，均匀排布在四个氮化镓器件组成的全桥电路正上方，形成垂直方向的功率回路，氮化镓器件Q1、Q2的S极分别与氮化镓器件Q3、Q4的D极相连组成两个半桥电路，氮化镓器件Q1与Q2的D极、氮化镓器件Q3与Q4的S极相连，两个半桥电路并联组成全桥电路，驱动电路包括半桥驱动芯片Dr2，半桥驱动芯片Dr2的12管脚与14管脚、8管脚与10管脚、4管脚与7管脚之间分别连接陶瓷电容C2、C8、C10；氮化镓器件Q2和Q4的开通电阻Rg2和Rg6一端分别接至半桥驱动芯片Dr2的13管脚和9管脚，另一端分别接至氮化镓器件Q2和Q4的G极；氮化镓器件Q2和Q4的关断电阻Rg4和Rg8一端分别与半桥驱动芯片Dr2的13管脚和9管脚相连，另一端分别与二极管D2和D4的阴极相连，二极管D2和D4的阳极分别接至氮化镓器件Q2和Q4的G极；半桥驱动芯片Dr2的12管脚和8管脚分别与氮化镓器件Q2和Q4的S极相连，半桥驱动芯片Dr2的PWM4、PWM2与SGND之间连接滤波电容C13、C14。

2.根据权利要求1所述的基于PCB嵌入工艺的全桥集成模块，其特征在于，利用激光微孔沉铜技术在PCB嵌入模块上设置若干铜柱阵列。

3.根据权利要求1所述的基于PCB嵌入工艺的全桥集成模块，其特征在于，高频解耦电容包括C3、C4、C5、C6，C3、C4、C5、C6接在VIN和PGND之间。

4.根据权利要求3所述的基于PCB嵌入工艺的全桥集成模块，其特征在于，高频解耦电容采用1206封装的陶瓷电容，氮化镓器件采用GS66508D，驱动芯片采用LGA14封装的Si8273型半桥驱动芯片。