[发明专利]存储单元和存储器

说明书

本发明实施例提供一种存储单元和存储器，该存储单元包括存储结构和写入结构，所述写入结构包括第一部件、第二部件和开关电路；所述第一部件与所述存储结构连接，所述第二部件分别与所述存储结构和所述开关电路连接，所述开关电路还与电源连接；所述开关电路用于，在接收到写入端发送的第一信号时导通，使得所述第二部件与所述电源连通，在接收到所述写入端发送的第二信号时，使得所述第二部件与所述电源断开；所述第一部件和所述第二部件用于根据所述写入端发送的信号执行写入操作。用于降低存储单元的能量损耗。

技术领域

本发明实施例涉及随机存取存储器领域，尤其涉及一种存储单元和存储器。

背景技术

终端设备(例如电脑、手机等)中均设置有随机存取存储器(Random AccessMemory，RAM)，RAM包括多个存储单元，其中，一个存储单元包括一个存储结构和至少一个写入结构，所述写入结构用于向存储结构中写入数据信息。

目前，写入结构包括反相器和两个N型金属氧化物半导体，其中，反相器包括一个P型金属氧化物半导体和一个N型金属氧化物半导体。当需要向终端设备中的存储单元中写入数据时，反相器中的P型金属氧化物半导体和N型金属氧化物半导体同时需要消耗终端设备的电能，即，反相器需要消耗终端设备的电能，从而导致终端设备的能量损耗较大。

发明内容

本发明实施例提供一种存储单元和存储器，用于降低存储单元的能量损耗。

第一方面，本发明实施例提供一种存储单元，包括存储结构和写入结构，所述写入结构包括第一部件、第二部件和开关电路；

所述第一部件与所述存储结构连接，所述第二部件分别与所述存储结构和所述开关电路连接，所述开关电路还与电源连接；

所述开关电路用于，在接收到写入端发送的第一信号时导通，使得所述第二部件与所述电源连通，在接收到所述写入端发送的第二信号时，使得所述第二部件与所述电源断开；

所述第一部件和所述第二部件用于根据所述写入端发送的信号执行写入操作；其中，所述写入端发送的信号包括第一信号或第二信号。

在一种可能的实施方式中，所述第一信号为高电压信号，所述电源的电压为低电压。

在另一种可能的实施方式中，所述开关电路为NMOS逻辑电路，其中，所述NMOS逻辑电路包括至少一个NMOS。

在另一种可能的实施方式中，所述第一信号为低电压信号，所述电源的电压为高电压。

在另一种可能的实施方式中，所述开关电路为PMOS逻辑电路，其中，所述PMOS逻辑电路包括至少一个PMOS。

在另一种可能的实施方式中，所述第一部件为晶体管。

在另一种可能的实施方式中，所述第一部件为PMOS，所述第一部件的源极与所述存储结构连接；

或者，

所述第一部件为NMOS，所述第一部件的漏极与所述存储结构连接。

在另一种可能的实施方式中，所述第二部件为晶体管。

在另一种可能的实施方式中，所述第二部件为PMOS，所述第二部件的源极与所述存储结构连接，所述第二部件的漏极与所述开关电路连接；

或者，

所述第二部件为NMOS，所述第二部件的漏极与所述存储结构连接，所述第二部件的源极与所述开关电路连接。

在另一种可能的实施方式中，所述存储结构包括：第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第一存储区、以及第二存储区，所述第三晶体管和所述第四晶体管为PMOS，所述第五晶体管和所述第六晶体管为NMOS，其中，