[发明专利]显示基板及制造方法和亮度补偿方法、显示装置有效
申请号: | 201910245432.1 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN109920835B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 胡伟频;姜明宵;卜倩倩;魏从从;王纯;贾一凡;孙晓;邱云;王丹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制造 方法 亮度 补偿 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括第一基底、设置在第一基底上的多个第一电极结构、设置在第一电极结构背离第一基底一侧的有机功能层,每个第一电极结构对应一个彩色亚像素,有机功能层覆盖对应不同颜色亚像素的多个第一电极结构,其特征在于,第一电极结构中设置有导电层和选择性透反膜,导电层与有机功能层的最靠近第一基底一侧的表面接触,选择性透反膜能够将所对应亚像素的颜色的光进行反射且将除所对应亚像素的颜色以外的颜色的光进行透射;
显示基板还包括设置在第一电极结构背向有机功能层一侧的多个光检测器件,每个光检测器件对应一个第一电极结构,光检测器件用于检测从对应第一电极结构透射出的光的实际亮度。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,导电层包括透明的第一导电子层和透明的第二导电子层,选择性透反膜位于第一导电子层和第二导电子层之间,第一导电子层和第二导电子层电连接。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,选择性透反膜包括光子晶体。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括设置在有机功能层背离第一基底一侧的第二电极结构。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,光检测器件设置在第一电极结构与第一基底之间。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,光检测器件设置在第一基底背向对应的第一电极结构的一侧。
7.一种显示基板的制造方法,其特征在于,包括:
在第一基底上形成多个第一电极结构的步骤,其中,每个第一电极结构对应一个彩色亚像素,第一电极结构中设置有导电层和选择性透反膜,选择性透反膜能够将所对应亚像素的颜色的光进行反射且将除所对应亚像素的颜色以外的颜色的光进行透射,导电层在远离第一基底一侧具有裸露表面;
在导电层的裸露表面上形成有机功能层的步骤,其中,有机功能层覆盖多个第一电极结构,有机功能层的最靠近第一基底一侧的表面接触导电层;
在第一电极结构背向有机功能层一侧形成多个光检测器件的步骤,其中,每个光检测器件对应一个第一电极结构,光检测器件用于检测从对应第一电极结构透射出的光的实际亮度。
8.一种显示装置,包括显示基板,其特征在于,该显示基板为根据权利要求1-6任意一项所述的显示基板。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,还包括与显示基板相对的彩膜基板,彩膜基板中设置有不同颜色的彩色滤光膜,每个彩色滤光膜对应一个第一电极结构。
10.一种显示基板的亮度补偿方法,其特征在于,基于权利要求1-6任意一项所述的显示基板,该亮度补偿方法包括:
根据显示数据控制亚像素发光;
获取各光检测器件检测到的所对应的第一电极结构透射出的光的实际亮度;
根据各光检测器件检测到的实际亮度对显示数据进行补偿。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的