[发明专利]氮化镓射频器件、参数确定方法和射频器件制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓射频器件，其特征在于，包括：

壳体结构；

封装于所述壳体结构的氮化镓晶体管；

封装于所述壳体结构的阻抗匹配电路，该阻抗匹配电路包括导线和至少两个电容，各电容的其中一端通过导线依次连接、另一端分别接地，且各电容依次连接后位于首端的电容通过导线与设置于所述壳体结构的输入引脚连接、位于末端的电容通过导线与所述氮化镓晶体管的栅极连接；

其中，所述阻抗匹配电路的阻抗满足以下预设条件：所述阻抗匹配电路的基波阻抗的实部与所述氮化镓晶体管的基波阻抗的实部都为正数，且两个实部之差小于第一预设值，所述阻抗匹配电路的基波阻抗的虚部与所述氮化镓晶体管的基波阻抗的虚部中的一个为正数、另一个为负数，且两个虚部之和小于第二预设值，所述阻抗匹配电路的二次谐波阻抗小于第三预设值。

2.根据权利要求1所述的氮化镓射频器件，其特征在于，所述导线的电感值基于所述阻抗匹配电路的阻抗确定，且该导线的拱高参数和距离参数基于该导线确定的电感值确定。

3.根据权利要求2所述的氮化镓射频器件，其特征在于，所述导线为键合金丝。

4.根据权利要求1所述的氮化镓射频器件，其特征在于，每个所述电容的电容值基于阻抗匹配电路的阻抗确定，且每个所述电容的介电常数和极板面积基于该电容确定的电容值确定。

5.根据权利要求4所述的氮化镓射频器件，其特征在于，每个所述电容为单层金属电容。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的氮化镓射频器件，其特征在于，所述电容为两个，该两个电容的其中一端通过第一导线连接，其中一个电容通过第二导线与所述输入引脚连接、另一个电容通过第三导线与所述氮化镓晶体管的栅极连接。

7.一种参数确定方法，其特征在于，用于确定待制作的氮化镓射频器件中阻抗匹配电路的阻抗值，该氮化镓射频器件还包括待封装的氮化镓晶体管和用于封装的壳体结构，所述参数确定方法包括：

获取所述氮化镓晶体管的阻抗值；

基于预设条件和所述氮化镓晶体管的阻抗值得到所述阻抗匹配电路的阻抗值；

其中，所述阻抗匹配电路包括导线和至少两个电容，各电容的其中一端通过导线依次连接、另一端分别接地，且各电容依次连接后位于首端的电容通过导线与设置于所述壳体结构的输入引脚连接、位于末端的电容通过导线与所述氮化镓晶体管的栅极连接；

所述预设条件包括：所述阻抗匹配电路的基波阻抗的实部与所述氮化镓晶体管的基波阻抗的实部都为正数，且两个实部之差小于第一预设值，所述阻抗匹配电路的基波阻抗的虚部与所述氮化镓晶体管的基波阻抗的虚部中的一个为正数、另一个为负数，且两个虚部之和小于第二预设值，所述阻抗匹配电路的二次谐波阻抗小于第三预设值。

8.根据权利要求7所述的参数确定方法，其特征在于，还包括：

获取用于封装所述氮化镓射频器件的壳体结构的封装参数；

基于所述封装参数和所述阻抗匹配电路的阻抗值确定所述导线的拱高参数和距离参数。

9.根据权利要求7所述的参数确定方法，其特征在于，还包括：

获取用于封装所述氮化镓射频器件的壳体结构的封装参数；

基于所述封装参数和所述阻抗匹配电路的阻抗值确定每个所述电容的介电常数和极板面积。

10.一种射频器件制作方法，用于制作包括氮化镓晶体管和阻抗匹配电路的氮化镓射频器件，其特征在于，所述射频器件制作方法包括：

基于权利要求7-9任意一项所述的参数确定方法得到的参数制作对应的阻抗匹配电路；

将所述氮化镓晶体管和所述阻抗匹配电路封装于壳体结构，得到所述氮化镓射频器件。