[发明专利]氮化镓射频器件、参数确定方法和射频器件制作方法

说明书

本申请提供的氮化镓射频器件、参数确定方法和射频器件制作方法，涉及微电子技术领域。其中，氮化镓射频器件包括壳体结构、氮化镓晶体管和阻抗匹配电路。阻抗匹配电路包括导线和至少两个电容，且该阻抗匹配电路的阻抗满足以下预设条件：阻抗匹配电路的基波阻抗的实部与氮化镓晶体管的基波阻抗的实部都为正数，且两个实部之差小于第一预设值，阻抗匹配电路的基波阻抗的虚部与氮化镓晶体管的基波阻抗的虚部中的一个为正数、另一个为负数，且两个虚部之和小于第二预设值，阻抗匹配电路的二次谐波阻抗小于第三预设值。通过上述设置，可以改善现有技术中氮化镓射频器件的有效输出功率较低的问题。

技术领域

本申请涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种氮化镓射频器件、参数确定方法和射频器件制作方法。

背景技术

在通信系统中，射频器件发挥着重要的作用。因此，射频器件的性能会直接影响着整个通信系统的性能。例如，射频器件的谐波分量一方面会导致该器件的输出功率降低，另一方面会对其它的通信系统造成干扰。其中，氮化镓射频器件因具有较高的截止频率，因而具有复杂的谐波分量。

因此，如何有效地降低氮化镓射频器件的谐波分量以提高器件的有效输出功率，是亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种氮化镓射频器件、参数确定方法和射频器件制作方法，以改善现有技术中氮化镓射频器件的有效输出功率较低的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

一种氮化镓射频器件，包括：

壳体结构；

封装于所述壳体结构的氮化镓晶体管；

封装于所述壳体结构的阻抗匹配电路，该阻抗匹配电路包括导线和至少两个电容，各电容的其中一端通过导线依次连接、另一端分别接地，且各电容依次连接后位于首端的电容通过导线与设置于所述壳体结构的输入引脚连接、位于末端的电容通过导线与所述氮化镓晶体管的栅极连接；

其中，所述阻抗匹配电路的阻抗满足以下预设条件：所述阻抗匹配电路的基波阻抗的实部与所述氮化镓晶体管的基波阻抗的实部都为正数，且两个实部之差小于第一预设值，所述阻抗匹配电路的基波阻抗的虚部与所述氮化镓晶体管的基波阻抗的虚部中的一个为正数、另一个为负数，且两个虚部之和小于第二预设值，所述阻抗匹配电路的二次谐波阻抗小于第三预设值。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述氮化镓射频器件中，所述导线的电感值基于所述阻抗匹配电路的阻抗确定，且该导线的拱高参数和距离参数基于该导线确定的电感值确定。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述氮化镓射频器件中，所述导线为键合金丝。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述氮化镓射频器件中，每个所述电容的电容值基于阻抗匹配电路的阻抗确定，且每个所述电容的介电常数和极板面积基于该电容确定的电容值确定。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述氮化镓射频器件中，每个所述电容为单层金属电容。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述氮化镓射频器件中，所述电容为两个，该两个电容的其中一端通过第一导线连接，其中一个电容通过第二导线与所述输入引脚连接、另一个电容通过第三导线与所述氮化镓晶体管的栅极连接。

本申请实施例还提供了一种参数确定方法，用于确定待制作的氮化镓射频器件中阻抗匹配电路的阻抗值，该氮化镓射频器件还包括待封装的氮化镓晶体管和用于封装的壳体结构，所述参数确定方法包括：

获取所述氮化镓晶体管的阻抗值；

基于预设条件和所述氮化镓晶体管的阻抗值得到所述阻抗匹配电路的阻抗值；