[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

多个存储器块，每个存储器块包括多列常规存储器单元；

至少一个冗余块，每个冗余块包括多列冗余存储器单元；和

修复控制电路，修复控制电路被配置为：

将所述多个存储器块中的第一存储器块的第一列中的第一常规存储器单元替换为第一存储器块的第二列中的第二常规存储器单元，

将第一存储器块的第二列的第二常规存储器单元替换为所述多个存储器块中的第二存储器块的第一列中的第三常规存储器单元，

将第二存储器块的第一列中的第三常规存储器单元替换为所述多个存储器块中的第三存储器块的第一列中的第四常规存储器单元或所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一列中的第一冗余存储器单元，

其中，第一存储器块的第二列、第二存储器块的第一列以及第三存储器块的第一列相对于它们各自的存储器块的列具有相同的相对位置。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中，第一存储器块、第二存储器块和第三存储器块中的每个的大小与第一冗余块的大小相同。

3.如权利要求2所述的存储器装置，其中，第二存储器块的第一列和第一冗余块的第一列相对于它们各自的存储器块的列具有相同的相对位置。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其中，第一存储器块、第二存储器块和第三存储器块中的每个的大小大于第一冗余块的大小。

5.如权利要求4所述的存储器装置，其中，第二存储器块的第一列和第一冗余块的第一列相对于它们各自的存储器块的列具有不同的相对位置。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中，第一存储器块的第一列是具有至少一个故障存储器单元的列。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其中，第一存储器块的第二列、第二存储器块的第一列和第三存储器块的第一列通过相同的列选择线信号值被选择。

8.如权利要求1所述的存储器装置，其中，修复控制电路包括第一选择电路和第二选择电路，第一选择电路在来自第一存储器块的第一输出与来自第二存储器块的第二输出之间进行选择，第二选择电路在来自第二存储器块的第二输出与来自第三存储器块或第一冗余块的第三输出之间进行选择。

9.一种存储器装置，包括：

多个存储器块，每个存储器块包括多列常规存储器单元；

至少一个冗余块，每个冗余块包括多列冗余存储器单元；和

修复控制电路，修复控制电路被配置为：

将所述多个存储器块中的第一存储器块的第一列中的第一常规存储器单元替换为第一存储器块的第二列中的第二常规存储器单元，以及

将所述多个存储器块中的第二存储器块的第一列中的第三常规存储器单元替换为第二存储器块的第二列中的第四常规存储器单元，

其中，第一存储器块的第一列和第二存储器块的第一列相对于它们各自的存储器块的列具有相同的相对位置，并且

第一存储器块的第二列和第二存储器块的第二列相对于它们各自的存储器块的列具有不同的相对位置。

10.如权利要求9所述的存储器装置，其中，修复控制电路被配置为：将第一存储器块的第二列中的第二常规存储器单元替换为除了第一存储器块的目的存储器块的第一列中的第五常规存储器单元或所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一列中的第一冗余存储器单元。

11.如权利要求10所述的存储器装置，其中，第一存储器块的第二列、目的存储器块的第一列以及第一冗余块的第一列相对于它们各自的存储器块的列具有相同的相对位置。

12.如权利要求10所述的存储器装置，其中，修复控制电路被配置为：将第二存储器块的第二列中的第四常规存储器单元替换为第一冗余块的第二列中的第二冗余存储器单元。