[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法

说明书

公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。

本申请要求于2018年3月29日在韩国知识产权局提交的编号为10-2018-0036291的韩国专利申请、于2018年7月9日在韩国知识产权局提交的编号为10-2018-0079345的韩国专利申请、于2018年10月5日在韩国知识产权局提交的编号为10-2018-0119317的韩国专利申请、于2019年1月30日在韩国知识产权局提交的编号为10-2019-0011563的韩国专利申请的优先权，它们的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及存储器，更具体地，本公开涉及半导体存储器装置、操作半导体存储器装置的方法以及存储器系统。

背景技术

半导体芯片通过半导体制造工艺进行制造，然后通过测试装置在晶片、管芯或封装状态中进行测试。通过测试选择缺陷芯片的缺陷部分，并且如果一些存储器单元有缺陷，则执行修复操作以节省半导体芯片。当前，诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体芯片已通过精细工艺继续减小尺寸，并且因此，在制造工艺期间发生错误的可能性增加。另外，如果通过初始测试过程未检测到缺陷，则在芯片操作期间可能发生错误。

校正错误的一种方法是使用冗余存储器块，其中，冗余存储器块包括用作用于在常规存储器块中发生故障的单元的备用单元的存储器单元阵列。然而，添加冗余存储器块通常会增加存储器单元阵列和存储器芯片的整体尺寸。因此，按照允许较少增加存储器芯片的尺寸的方式执行冗余将是有益的。

发明内容

因此，半导体存储器装置中的修复控制电路将多个存储器块中的至少一个存储器块中的故障单元修复为同一存储器块中的至少一个常规单元至少一次，并且可使用冗余块中的冗余单元替换常规单元。因此，半导体存储器装置可以以更高的效率使用冗余块中的冗余资源。

根据可作为本发明内容中其它地方描述的一个或更多个实施例中的一部分的示例性实施例，一种方法替换包括多个存储器块和至少一个冗余块的存储器装置中的存储器块的第一列常规存储器单元中的存储器单元的方法。所述方法包括：将所述多个存储器块中的第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，其中，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给存储器装置的所述至少一个冗余块中的第一冗余块中的第一冗余存储器单元的地址。

根据可以作为本发明内容中其它地方描述的一个或更多个实施例中的一部分的示例性实施例，一种存储器装置包括：多个存储器块，每个存储器块包括多列常规存储器单元；至少一个冗余块，每个冗余块包括多列冗余存储器单元；和修复控制电路。所述修复控制电路被配置为：使所述多个存储器块中的第一存储器块的第二列常规存储器单元用作针对第一存储器块的第一列常规存储器单元的目标列，并使所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一列冗余存储器单元存储去往第一存储器块的第二列常规存储器单元的数据。

根据可作为本发明内容中其它地方描述的一个或更多个实施例中的一部分的示例性实施例，一种存储器装置包括：多个存储器块，每个存储器块包括多列常规存储器单元；至少一个冗余块，每个冗余块包括多列冗余存储器单元；和修复控制电路。所述修复控制电路被配置为：将所述多个存储器块中的第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元替换为第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元，并且通过使用所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一列冗余存储器单元中的第一冗余存储器单元来替换第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元。通过使用第一冗余存储器单元来替换第二常规存储器单元的步骤包括使第一冗余存储器单元存储去往第二常规存储器单元的数据。