[发明专利]显示面板和显示面板制作方法有效
申请号: | 201910246835.8 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN110047881B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 程江坤 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种显示面板,定义有弯折区和非弯折区,所述显示面板从下至上依次包括基板层、阵列层和发光层,其特征在于,位于所述弯折区的所述基板层上远离所述阵列层一侧设有第一凹槽;
所述基板层包括柔性衬底层及保护膜层,所述第一凹槽贯穿所述保护膜层;所述第一凹槽的槽底与所述柔性衬底层朝向所述保护膜层的一侧的表面平齐;或者所述第一凹槽的槽底延伸入柔性衬底层内;
所述第一凹槽的宽度L为L=π×H÷n,其中H为第一凹槽的深度,n为第一凹槽的个数。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,包括至少两个所述第一凹槽,相邻两个所述第一凹槽之间的距离S为S=π×(R1-H)÷n,其中R1为弯折区弯折后圆心至第一凹槽槽底的半径,H为第一凹槽的深度,n为第一凹槽的个数。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述柔性衬底层的材料为聚酰亚胺。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板,其特征在于,位于所述弯折区的所述基板层上还设有等距离间隔分布的第二凹槽,所述第二凹槽的延伸方向与所述第一凹槽的延伸方向垂直。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的显示面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
制作基板层步骤,其为涂布聚酰亚胺溶液,固化膜层形成柔性衬底层,在所述柔性衬底层一侧制作保护膜层,所述柔性衬底层与保护膜层共同构成基板层;
蚀刻基板层步骤,其为蚀刻基板层形成第一凹槽,所述第一凹槽等距离间隔分布,所述第一凹槽贯穿所述保护膜层;所述第一凹槽的槽底与所述柔性衬底层朝向所述保护膜层的一侧的表面平齐;或者所述第一凹槽的槽底延伸入柔性衬底层内,对第一凹槽内的剥离残留物进行清洁处理;
完成显示面板制作步骤,其为在所述柔性衬底层远离所述第一凹槽一侧依次层叠制作阵列层和发光层;对所述柔性衬底层朝向所述第一凹槽一侧弯折,定义包括所述第一凹槽区域为弯折区,定义包括所述发光层区域为非弯折区。
6.一种如权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述蚀刻基板层步骤包括:
利用掩膜板及激光照射蚀刻所述保护膜层,所述掩膜板呈栅栏型,其设有等距离间隔分布的遮光区和透光区,所述遮光区的宽度为L,L=π×H÷n,其中H为第一凹槽的深度,n为第一凹槽的个数;经蚀刻后的所述保护膜层形成第一凹槽,所述第一凹槽贯穿所述保护膜层。
7.一种如权利要求5或6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述蚀刻基板层步骤还包括交叉蚀刻保护膜层步骤,其为蚀刻所述基板层形成等距离间隔分布的第二凹槽,所述第二凹槽的延伸方向与所述第一凹槽的延伸方向垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的