[发明专利]真空腔体漏率监测方法

权利要求书

1.一种真空腔体漏率监测方法，其特征在于，包括：

S1：提供一光谱信号侦测器，利用所述光谱信号侦测器采集半导体制造工艺作业过程中真空腔体内官能基的发射光谱；

S2：提供一发射光谱信号处理设备，接收所述发射光谱，并根据所述发射光谱得到所述发射光谱的光谱信号强度波形，所述光谱信号强度波形的横坐标为发射光谱的波长，纵坐标为发射光谱的强度；

S3：判断所述光谱信号强度波形在波长为336.5nm处是否存在五指山状波形段，其中所述五指山状波形段为在波长为336.5nm处包括一个光谱信号强度最强的第一波峰，在所述第一波峰的两侧分别包括一个光谱信号强度较所述第一波峰弱的第二波峰和第三波峰，在所述第二波峰和所述第三波峰远离所述第一波峰的位置分别包括一个光谱信号强度较所述第二波峰和所述第三波峰弱的第四波峰和第五波峰，其中相较于所述第二波峰、所述第三波峰、所述第四波峰和所述第五波峰，所述第一波峰最靠近336.5nm波长处；

S4：若存在所述五指山状波形段，则认为真空腔体漏率异常，需对半导体制造设备进行维护；以及

S5：若不存在所述五指山状波形段，则认为真空腔体漏率正常，并返回步骤S1。

2.根据权利要求1所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，每相邻两个波峰对应的波长相差20nm至25nm之间。

3.根据权利要求1或2任一项所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述第一波峰、所述第二波峰、所述第三波峰、所述第四波峰和所述第五波峰对应的波长均在336.5nm±50nm之间。

4.根据权利要求3所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述第一波峰、所述第二波峰、所述第三波峰、所述第四波峰和所述第五波峰对应的波长均在336.5nm±40nm之间。

5.根据权利要求1所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述五指山状波形段的五个波峰值越大，则真空腔体泄露越严重。

6.根据权利要求1所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述光谱信号侦测器为半导体制造设备内的固有装置。

7.根据权利要求1或6任一项所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述光谱信号侦测器为光学发射光谱仪。

8.根据权利要求1所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述真空腔体为刻蚀工艺中的反应腔体。

9.根据权利要求8所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述真空腔体为等离子体刻蚀工艺中的反应腔体。

10.根据权利要求9所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述光谱信号侦测器为等离子体刻蚀机中的设备。

11.根据权利要求1所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述真空腔体为薄膜沉积工艺中的反应腔体。

12.根据权利要求1所述的真空腔体漏率监测方法，其特征在于，所述真空腔体漏率监测方法应用到45nm以下技术节点的工艺中。