[发明专利]真空腔体漏率监测方法

说明书

本发明涉及真空腔体漏率监测方法，涉及半导体集成电路制造工艺，通过光谱信号侦测器采集半导体制造工艺作业过程中真空腔体内官能基的发射光谱，利用发射光谱信号处理设备得到所述发射光谱的光谱信号强度波形，并通过判断所述光谱信号强度波形在氮气的波长336.5nm附近是否存在五指山状波形段来实现真空腔体漏率监测，该方法能确定无异的判断真空腔体漏率是否异常，且成本较低，不需要半导体制造设备停机就能检测反应腔漏率，不影响产能，因此能持续监控真空腔体漏率。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种真空腔体漏率监测方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，部分制造工艺需要在真空环境的反应腔体内进行，若真空反应腔体存在泄漏，即有大气进入反应腔体内，则会影响到半导体制造工艺的质量，进而影响半导体器件的良率。

氮气(N2)为大气中含量最高的气体,因此被作为反应腔体漏率检测的目标气体。目前常使用氦气侦测仪检测反应腔体漏率，氦气侦测仪能精确检测出大气的泄露量，但半导体制造设备中真空反应腔体内具体的泄漏量并不重要，而是能否通过检测结果确定一定是由于泄漏造成的异常更加重要。另氦气侦测仪设备的成本较高，且需要半导体制造设备停机才能检测反应腔体漏率，造成产能损失，且其只能在检测时才能侦测反应腔体漏率，半导体制造设备运行时无法侦测反应腔体漏率，因此不能持续监控。

发明内容

本发明的目的在于提供一种真空腔体漏率监测方法，能确定无异的判断真空腔体漏率是否异常，且成本较低，不影响产能，实现能持续监控真空腔体漏率。

本发明提供的真空腔体漏率监测方法，包括：S1：提供一光谱信号侦测器，利用所述光谱信号侦测器采集半导体制造工艺作业过程中真空腔体内官能基的发射光谱；S2：提供一发射光谱信号处理设备，接收所述发射光谱，并根据所述发射光谱得到所述发射光谱的光谱信号强度波形，所述光谱信号强度波形的横坐标为发射光谱的波长，纵坐标为发射光谱的强度；S3：判断所述光谱信号强度波形在波长为336.5nm处是否存在五指山状波形段，其中所述五指山状波形段为在波长为336.5nm处包括一个光谱信号强度最强的第一波峰，在所述第一波峰的两侧分别包括一个光谱信号强度较所述第一波峰弱的第二波峰和第三波峰，在所述第二波峰和所述第三波峰远离所述第一波峰的位置分别包括一个光谱信号强度较所述第二波峰和所述第三波峰弱的第四波峰和第五波峰；S4：若存在所述五指山状波形段，则认为真空腔体漏率异常，需对半导体制造设备进行维护；以及S5：若不存在所述五指山状波形段，则认为真空腔体漏率正常，并返回步骤S1。

更进一步的，相较于所述第二波峰、所述第三波峰、所述第四波峰和所述第五波峰，所述第一波峰最靠近336.5nm波长处。

更进一步的，每相邻两个波峰对应的波长相差20nm至25nm之间。

更进一步的，所述第一波峰、所述第二波峰、所述第三波峰、所述第四波峰和所述第五波峰对应的波长均在336.5nm±50nm之间。

更进一步的，所述第一波峰、所述第二波峰、所述第三波峰、所述第四波峰和所述第五波峰对应的波长均在336.5nm±40nm之间。

更进一步的，所述五指山状波形段的五个波峰值越大，则真空腔体泄露越严重。

更进一步的，所述光谱信号侦测器为半导体制造设备内的固有装置。

更进一步的，所述光谱信号侦测器为光学发射光谱仪。

更进一步的，所述真空腔体为刻蚀工艺中的反应腔体。

更进一步的，所述真空腔体为等离子体刻蚀工艺中的反应腔体。

更进一步的，所述光谱信号侦测器为等离子体刻蚀机中的设备。

更进一步的，所述真空腔体为薄膜沉积工艺中的反应腔体。