[发明专利]电迁移测试结构及其测试方法在审
| 申请号： | 201910249284.0 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109979918A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 尹彬锋;周逸竹;周柯;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试结构 电迁移测试结构 电迁移测试 测试引线 一端连接 电迁移 集成电路 测试 保证 | ||
1.一种电迁移测试结构，用于集成电路电迁移测试，所述电迁移测试结构包括第一测试结构(A)和第二测试结构(B)；所述第一测试结构(A)和第二测试结构(B)固定连接，所述第一测试结构(A)另一端连接第一测试引线(A1)，所述第一测试结构(B)另一端连接第二测试引线(B1)；其特征在于：
所述第一测试结构(A)的宽度小于第二测试结构(B)的宽度,且5W1≤W2，W1所述第一测试结构(A)的宽度，W2是第二测试结构(B)的宽度。
2.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述第一测试结构(A)的宽度是集成电路设计规则中允许的最小宽度。
3.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述第一测试结构(A)和第二测试结构(B)的长度不同。
4.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述第一测试结构(A)和第二测试结构(B)的长度均小于50um。
5.如权利要求4所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述第二测试结构(B)的长度小于50um且大于10um。
6.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述第一测试结构(A)和第二测试引线(B1)加载电压不同。
7.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：V1＜V2，V1是第一测试结构(A)加载电压，V2是第二测试引线(B1)加载电压。
8.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述第一测试结构(A)和第二测试结构(B)是键合金线或键合银线。
9.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述第一测试结构(A)和第二测试结构(B)是金属线。
10.一种利用权利要求1-9任意一项所述电迁移测试结构的电迁移测试方法，其特征在于，包括：
将所述第一测试结构(A)连接第一测试引线(A1)，将所述第一测试结构(B)连接第二测试引线(B1)，对所述第一测试结构(A)和第二测试引线(B1)加载不同电压，根据第一测试引线(A1)和第二测试引线(B1)之间电阻变化判读是否发生电迁移失效。
11.如权利要求10所述的电迁移测试方法，其特征在于：加载不同电压后保持电流稳定后，再测量第一测试引线(A1)和第二测试引线(B1)之间电阻。
12.如权利要求10所述的电迁移测试方法，其特征在于：所述第一测试结构(A)加载电压小于第二测试引线(B1)加载电压。
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