[发明专利]电迁移测试结构及其测试方法

说明书

本发明公开了一种用于集成电路电迁移测试的电迁移测试结构，所述电迁移测试结构包括第一测试结构和第二测试结构；所述第一测试结构和第二测试结构固定连接，所述第一测试结构另一端连接第一测试引线，所述第一测试结构另一端连接第二测试引线；其中，所述第一测试结构的宽度小于第二测试结构的宽度,且5W1≤W2，W1所述第一测试结构的宽度，W2是第二测试结构的宽度。本发明还公开了一种利用上述电迁移测试结构的电迁移测试方法。本发明的电迁移测试结构能遏制电迁移回流现象，还能减少测试结构的面积，同时保证电迁移测试效果。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种集成电路电迁移测试结构。本发明还涉及一种集成电路电迁移测试方法。

背景技术

电迁移通常是指在电场作用下使金属离子发生迁移的现象。分别为发生在相邻导体表面的如常见的银离子迁移和发生在金属导体内部的金属化电子迁移。电迁移现象是集成电路中特有的现象，指的是集成电路金属互连线在电流流过时，由于金属原子与电子有能量交换，从而被推离原有位置。当大量金属原子被推离后，便留下一个空洞，导致金属互连线的电阻变大，集成电路芯片失效。

为了测试金属互连线的电迁移性能，需要设计相应的电迁移测试结构。由于当电迁移测试金属线太短时(<50um)，有回流效应(阴极上的金属原子被推到阳极上后，阳极上的金属原子密度高于阴极的密度，导致在密度梯度下，有金属原子扩散作用，与电迁移导致的金属原子漂移方向相反)，因此在JEDEC中建议测试金属线的长度为400um，实际使用中有公司会设计为200um。导致电迁移的测试结构长度必然大于200um，占用了较大的空间。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种既能减少测试结构占用空间，又能避免回流效应的电迁移测试结构。

本发明还提供了一种利用上述电迁移测试结构的电迁移测试方法。

为解决上述技术问题，本发明提供用于集成电路电迁移测试的电迁移测试结构，所述电迁移测试结构包括第一测试结构A和第二测试结构B；所述第一测试结构A和第二测试结构B固定连接，所述第一测试结构A另一端连接第一测试引线A1，所述第一测试结构B另一端连接第二测试引线B1；其中，

所述第一测试结构A的宽度小于第二测试结构B的宽度，且5W1≤W2，W1所述第一测试结构A的宽度，W2是第二测试结构B的宽度。

进一步改进所述的电迁移测试结构，所述第一测试结构A的宽度是集成电路设计规则中允许的最小宽度。

进一步改进所述的电迁移测试结构，所述第一测试结构A和第二测试结构B的长度不同。

进一步改进所述的电迁移测试结构，所述第一测试结构A和第二测试结构B的长度均小于50um。

进一步改进所述的电迁移测试结构，所述第二测试结构B的长度小于50um且大于10um。

进一步改进所述的电迁移测试结构，所述第一测试结构A和第二测试引线B1加载电压不同。

进一步改进所述的电迁移测试结构，V1＜V2，V1是第一测试结构A加载电压，V2是第二测试引线B1加载电压。

进一步改进所述的电迁移测试结构，所述第一测试结构A和第二测试结构B是键合金线或键合银线。

进一步改进所述的电迁移测试结构，所述第一测试结构A和第二测试结构B是金属线。

本发明提供一种利用上述任意一项所述电迁移测试结构的电迁移测试方法，包括：

将所述第一测试结构A连接第一测试引线A1，将所述第一测试结构B连接第二测试引线B1，对所述第一测试结构A和第二测试引线B1加载不同电压，根据第一测试引线A1和第二测试引线B1之间电阻变化判读是否发生电迁移失效。