[发明专利]一种OLED显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910250519.8 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN109873023B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 吕志军;董立文;刘文渠;宋晓欣;崔钊;王利波;孟德天;张锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法具体包括以下制备步骤:
在衬底上的像素区形成图案化的第三平坦化层;
在衬底上的非像素区形成图案化的第二平坦化层;
在第三平坦化层背离衬底的一侧形成像素发光区的阳极;
在第二平坦化层背离衬底的一侧形成图案化的第一平坦化层,第二平坦化层与第一平坦化层叠层构成第一像素界定结构,第二平坦化层和第一平坦化层的端面形成一个坡面,所述坡面随着与所述衬底距离的增加而远离所述像素发光区;
在第二平坦化层和第一平坦化层靠近像素发光区的坡面形成反射膜层;
在反射膜层靠近像素发光区的一侧形成第二像素界定结构;
在阳极背离衬底的一侧逐一形成像素发光区的发光层和阴极。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述第三平坦化层、第二平坦化层、第一平坦化层采用同一掩膜版形成;
所述第三平坦化层由负性光刻胶形成,所述第二平坦化层、第一平坦化层由正性光刻胶形成;或者所述第三平坦化层由正性光刻胶形成,所述第二平坦化层、第一平坦化层由负性光刻胶形成。
3.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一平坦化层和第二平坦化层各自的端面在连接部有台阶,各端面和台阶处均设置有反射层。
4.根据权利要求3所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,每个所述反射膜层覆盖整个所述端面,形成一个围设所述像素发光区的连续的曲面。
5.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述第二像素界定结构设置在所述第一像素界定结构的所述端面延伸到第一像素界定结构的顶部和底部且覆盖所述反射膜层的绝缘层。
6.根据权利要求5所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述第二像素界定结构由透明材料构成。
7.根据权利要求6所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述坡面形成的坡度夹角范围为50-70°。
8.根据权利要求5所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述反射膜层延伸至所述第一像素界定结构的顶面并覆盖至少部分所述第一像素界定结构的顶面;所述第二像素界定结构延伸到第一像素界定结构的顶面,且不超过所述第一像素界定结构顶面的反射膜层。
9.根据权利要求8所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,相邻像素发光区之间的反射膜层连为一体,形成一个纵截面为倒立的梯形结构,所述反射膜层覆盖所述第一像素界定结构。
10.根据权利要求3所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述第三平坦化层的厚度大于所述第一平坦化层的厚度,小于所述第二平坦化层的厚度,且所述第三平坦化层的横截面由下至上逐渐增大。
11.根据权利要求3所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述第三平坦化层与所述反射膜层之间有间隙;所述阳极设置在第三平坦层上,且与反射膜层有间隙,所述第二像素界定结构覆盖所述反射膜层且填充所述间隙。
12.根据权利要求3所述的OLED显示基板的制备方法,其特征在于,所述发光层设置在所述阳极上方,且所述发光层不超过所述阳极的边缘;所述阴极覆盖所述发光层,所述阴极的水平面低于所述第一像素界定结构的顶面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910250519.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的