[发明专利]存储器及其获取方法、失效定位方法

权利要求书

1.一种存储器的获取方法，其特征在于，包括：

提供存储器芯片，所述存储器芯片包括存储单元阵列，所述存储单元阵列中沿一方向排布的存储单元电连接至一条位线，所述存储器芯片暴露至所述位线上的介质层，所述存储器芯片存在双位线失效；

在所述介质层上形成第一衬垫和第二衬垫；

通过第一电连线和第二电连线将双位线失效的两条位线分别电连接至所述第一衬垫和所述第二衬垫，所述第一衬垫和所述第二衬垫用于热点分析的电压偏置；所述热点分析利用光诱导电阻变化设备进行。

2.根据权利要求1所述的获取方法，其特征在于，所述第一电连线和所述第二电连线、以及所述第一衬垫和所述第二衬垫利用聚焦离子束设备的线路修补功能形成。

3.根据权利要求1所述的获取方法，其特征在于，所述第一衬垫和所述第二衬垫、以及所述第一电连线和所述第二电连线的材料为钨或铂。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的获取方法，其特征在于，所述存储单元为或非型闪存，沿一方向排布的或非型闪存的漏极连接至一条位线。

5.一种存储器，其特征在于，包括：

存储器芯片，所述存储器芯片包括存储单元阵列，所述存储单元阵列中沿一方向排布的存储单元电连接至一条位线，所述存储器芯片暴露至所述位线上的介质层，所述存储器芯片存在双位线失效；

位于所述介质层上的第一衬垫和第二衬垫；

分别将双位线失效的两条位线电连接至所述第一衬垫和所述第二衬垫的第一电连线和第二电连线，所述第一衬垫和所述第二衬垫用于热点分析的电压偏置；所述热点分析利用光诱导电阻变化设备进行。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一衬垫和所述第二衬垫、以及所述第一电连线和所述第二电连线的材料为钨或铂。

7.根据权利要求5或6所述的存储器，其特征在于，所述存储单元为或非型闪存，沿一方向排布的或非型闪存的漏极连接至一条位线。

8.一种失效定位方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求5-7中任一项所述的存储器，在第一衬垫和第二衬垫上施加偏置电压，并进行热点分析，以获得失效定位。