[发明专利]存储器及其获取方法、失效定位方法

说明书

本发明提供一种存储器及其获取方法、失效定位方法，在将存储器芯片暴露至位线上的介质层之后，在介质层上形成两个衬垫，并将双位线失效的两条位线通过电连线分别连接到这两个衬垫上，这样，就单独将这两条失效的位线建立了热点分析的回路，这两个衬垫用于偏置热点分析时的电压，从而，可以抓取到热点，实现双位线失效的快速精确定位。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种存储器及其获取方法、失效定位方法。

背景技术

随着集成电路和半导体技术的不断发展，存储器得到了广泛的应用，而存储器芯片的测试以及失效定位，是提高存储器芯片良率及性能的重要手段。在存储器芯片的测试中，位线漏电(Bit Line leakage)测试项目用于测试相邻的两条位线是否存在失效，而在这些测试项目中出现双位线(TBL，Twin Bit Line)失效时，如何定位到这两条位线的具体失效位置却是失效分析中的难点。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种存储器及其获取方法、失效定位方法，实现双位线失效的快速精确定位。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种存储器的获取方法，包括：

提供存储器芯片，所述存储器芯片包括存储单元阵列，所述存储单元阵列中沿一方向排布的存储单元电连接至一条位线，所述存储器芯片暴露至所述位线上的介质层，所述存储器芯片存在双位线失效；

在所述介质层上形成第一衬垫和第二衬垫；

通过第一电连线和第二电连线将双位线失效的两条位线分别电连接至所述第一衬垫和所述第二衬垫，所述第一衬垫和所述第二衬垫用于热点分析的电压偏置。

可选地，所述第一电连线和所述第二电连线、以及所述第一衬垫和所述第二衬垫利用聚焦离子束设备的线路修补功能形成。

可选地，所述热点分析利用光诱导电阻变化设备进行。

可选地，所述第一衬垫和所述第二衬垫、以及所述第一电连线和所述第二电连线的材料为钨或铂。

可选地，所述存储单元为或非型闪存，沿一方向排布的或非型闪存的漏极连接至一条位线。

一种存储器，包括：

存储器芯片，所述存储器芯片包括存储单元阵列，所述存储单元阵列中沿一方向排布的存储单元电连接至一条位线，所述存储器芯片暴露至所述位线上的介质层，所述存储器芯片存在双位线失效；

位于所述介质层上的第一衬垫和第二衬垫；

分别将双位线失效的两条位线电连接至所述第一衬垫和所述第二衬垫的第一电连线和第二电连线，所述第一衬垫和所述第二衬垫用于热点分析的电压偏置。

可选地，所述第一衬垫和所述第二衬垫、以及所述第一电连线和所述第二电连线的材料为钨或铂。

可选地，所述存储单元为或非型闪存，沿一方向排布的或非型闪存的漏极连接至一条位线。

一种失效定位方法，其特征在于，包括：

采用上述任一的存储器，在第一衬垫和第二衬垫上施加偏置电压，并进行热点分析，以获得失效定位。

可选地，利用光诱导电阻变化设备进行热点分析。

本发明实施例提供的存储器及其获取方法、失效定位方法，在将存储器芯片暴露至位线上的介质层之后，在介质层上形成两个衬垫，并将双位线失效的两条位线通过电连线分别连接到这两个衬垫上，这样，就单独将这两条失效的位线建立了热点分析的回路，这两个衬垫用于偏置热点分析时的电压，从而，可以抓取到热点，实现双位线失效的快速精确定位。

附图说明