[发明专利]扇出型半导体封装件在审
申请号: | 201910256753.1 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN110828391A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 裴成恒;金正守;崔元;金成焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/373;H01L23/488;H01L23/522 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扇出型 半导体 封装 | ||
1.一种扇出型半导体封装件,包括:
框架,包括布线层,并具有通孔;
半导体芯片,设置在所述通孔中,并具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面;
包封剂,覆盖所述框架和所述半导体芯片的所述无效表面中的每个的至少一部分,并且具有使所述布线层的至少一部分暴露的第一开口;
绝缘层,设置在所述包封剂上,并具有形成在所述第一开口中以使所述布线层的至少一部分暴露的第二开口;
导电图案层,设置在所述绝缘层上;
导电过孔,设置在所述第二开口中,并且将所述布线层电连接到所述导电图案层;以及
连接结构,设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上,并包括一个或更多个重新分布层,
其中,所述导电图案层和所述重新分布层电连接到所述连接焊盘。
2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件,其中,所述绝缘层填充所述第一开口和所述第二开口之间的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件,其中,所述导电过孔通过填充所述第一开口的部分的所述绝缘层与所述包封剂间隔开。
4.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件,其中,所述包封剂和所述绝缘层具有不同的物理性质。
5.根据权利要求4所述的扇出型半导体封装件,其中,所述包封剂包括非感光绝缘材料,并且
所述绝缘层包括感光绝缘材料。
6.根据权利要求4所述的扇出型半导体封装件,其中,所述包封剂和所述绝缘层是具有不同物理性质的非感光绝缘层。
7.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件还包括:增强层,设置在所述包封剂和所述绝缘层之间,
其中,所述第一开口穿过所述增强层,并且
所述增强层的弹性模量大于所述包封剂和所述绝缘层中的每个的弹性模量。
8.根据权利要求7所述的扇出型半导体封装件,其中,所述导电过孔通过填充所述第一开口的部分的所述绝缘层与所述增强层间隔开。
9.根据权利要求7所述的扇出型半导体封装件,其中,所述增强层包括玻璃纤维、无机填料和绝缘树脂。
10.根据权利要求7所述的扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件还包括:树脂层,设置在所述增强层和所述绝缘层之间,
其中,所述第一开口穿过所述树脂层,并且所述增强层的弹性模量大于所述树脂层的弹性模量。
11.根据权利要求10所述的扇出型半导体封装件,其中,所述导电过孔通过填充所述第一开口的部分的所述绝缘层与所述树脂层间隔开。
12.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件还包括:覆盖层,设置在所述绝缘层上,并且具有使所述导电图案层的至少一部分暴露的第三开口。
13.根据权利要求12所述的扇出型半导体封装件,其中,在所述导电图案层的通过所述覆盖层的所述第三开口暴露的表面上设置有表面处理层。
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