[发明专利]一种R-Fe-B类磁体的制备方法

权利要求书

1.一种R-Fe-B类磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)将物质A和R1-Fe-B-M样品混合后进行扩散处理；

R1选自稀土元素Nd、Pr、Tb、Dy、Gd、La、Ho和Ce中的一种或多种，M1选自Ti、V、Cr、Co、Ga、Cu、Mn、Si、Al、Zr、W和Mo中的一种或多种，R1的含量为26wt％～33wt％，B的含量为0.8wt％～1.2wt％，M1的含量为0～4wt％，余量为Fe；

所述物质A为镝的化合物和铽的化合物中的至少一种；

B)将扩散处理后的粗品进行氢碎处理，将得到粗粉进行气流磨；

C)将气流磨后的细粉成型后烧结，得到R-Fe-B类磁体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述物质A为氟化镝、氟化铽、氧化镝和氟化铽中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述物质A为所述R1-Fe-B-M样品的0.1wt％～10wt％。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述扩散处理在真空或惰性气氛下进行，所述扩散处理的温度为800～1000℃，时间为2～50h。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述扩散处理在真空下进行时，所述真空度为1*10^-5～9*10^-1Pa；所述扩散处理在惰性气氛下进行时，所述惰性气体为氩气，压力为500Pa～80kPa。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述R1的含量为28wt％～30wt％，所述B的含量为0.9wt％～1.1wt％，所述M的含量为0.5wt％～3wt％。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述成型在1.2T～2.5T磁场中取向成型。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B)和步骤C)在严格密封和保护气氛下进行，且增氧量小于1000ppm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结具体为：

将成型后的磁体在950℃～1100℃保温4～25h，在最高温度保温后进行时效处理，所述时效处理的一级时效温度为850～920℃，二级时效温度为450～580℃，所述一级时效和二级时效的时间均为4～6h。

10.根据权利要求1～9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述物质A的粒径小于100μm。