[发明专利]处理基板的装置和方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

工艺腔室，其内部具有处理空间；

支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；

气体供应单元，其配置为将工艺气体供应到所述处理空间中；以及

等离子体源，其配置为从所述工艺气体中产生等离子体，

其中，所述支承单元包括：

支承件，在其上放置有所述基板；

边缘环，其配置为围绕放置在所述支承件上的所述基板；

阻抗调节构件，其设置在所述边缘环下方；以及

温度调节构件，其配置为可变地调节所述阻抗调节构件的温度；

其中，所述阻抗调节构件由介电常数根据温度变化的材料制成；

所述装置还包括：

控制器，其配置为控制所述温度调节构件，

其中，所述控制器控制所述温度调节构件，以随着所述边缘环的腐蚀量增加，改变所述阻抗调节构件的介电常数。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器控制所述温度调节构件，以随着所述边缘环的腐蚀量增加，增加所述阻抗调节构件的介电常数。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括腐蚀测量构件，其配置成测量所述边缘环的腐蚀量；且

其中，所述控制器接收由所述腐蚀测量构件测量的腐蚀量。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中，所述阻抗调节构件由含有氧化镁的介电物质形成。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述介电物质含有10wt％至50wt％的氧化镁。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器基于所述边缘环的腐蚀量来控制所述温度调节构件的温度。

7.根据权利要求1至3和6中任一项所述的装置，其中，所述阻抗调节构件在第一温度下具有最高的介电常数、在低于所述第一温度的范围内具有随温度升高而增加的介电常数、以及在高于所述第一温度的范围内具有随温度升高而降低的介电常数，且

其中，当所述边缘环的腐蚀量增加时，所述控制器控制所述温度调节构件，在低于所述第一温度的范围内升高所述阻抗调节构件的温度，并在高于所述第一温度的范围内降低所述阻抗调节构件的温度。

8.根据权利要求1至3和6中任一项所述的装置，其中，所述阻抗调节构件具有环形形状，其具有对应于所述边缘环的下部的形状的上表面。

9.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：

通过将等离子体供应到放置在支承件上的所述基板上来处理所述基板；和

通过温度调节构件来调节放置在边缘环下方的阻抗调节构件的温度，从而调节所述阻抗调节构件的介电常数来控制所述边缘环上方的等离子体密度，所述边缘环配置成围绕放置在所述支承件上的所述基板的侧面。

10.根据权利要求9所述的方法，其还包括：

基于所述边缘环的腐蚀量，可变地调节所述阻抗调节构件的介电常数。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述阻抗调节构件由含有氧化镁的介电物质形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述介电物质含有10wt％至50wt％的氧化镁。

13.根据权利要求9所述的方法，其还包括：

随着所述边缘环的腐蚀量增加，控制温度以增加所述阻抗调节构件的介电常数。