[发明专利]处理基板的装置和方法

说明书

本发明构思涉及一种用于处理基板的装置。在实施方案中，该装置包括：内部具有处理空间的工艺腔室、所述处理空间中支承所述基板的支承单元、将工艺气体供应到所述处理空间中的气体供应单元、以及从所述工艺气体中产生等离子体的等离子体源。所述支承单元包括在其上放置有所述基板的支承件、围绕放置在所述支承件上的所述基板的边缘环、设置在所述边缘环下方的阻抗调节构件、以及可变地调节所述阻抗调节构件的温度的温度调节构件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年4月2日提交韩国工业产权局、申请号为10-2018-0038142的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

背景技术

本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置，更具体地，涉及一种使用等离子体处理基板的装置。

等离子体可用于处理基板。例如，等离子体可用于蚀刻、沉积或干洗工艺。通过加热或使中性气体经受强电场或射频(radio frequency,RF)电磁场来产生等离子体，并且等离子体是指含有离子、电子和自由基的物质的电离气态。通过允许等离子体中含有的离子或自由基粒子与基板碰撞来执行使用等离子体的干洗、灰化、或蚀刻工艺。

使用等离子体的基板处理装置可包括腔室、基板支承单元、和等离子体源。基板支承单元可包括设置成围绕基板的边缘环。边缘环可被等离子体磨损。磨损的边缘环可导致入射在基板上的等离子体的不均匀分布。不均匀的等离子体分布可产生无法均匀处理基板的结果。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于在使用等离子体处理基板时提高处理效率的基板处理装置和方法。

本发明构思的实施方案提供了一种用于均匀地控制入射在基板上的等离子体的分布的基板处理装置。

根据示例性实施方案，用于处理基板的装置包括内部具有处理空间的工艺腔室、在所述处理空间中支承所述基板的支承单元、将工艺气体供应到所述处理空间的气体供应单元、以及从所述工艺气体中产生等离子体的等离子体源。所述支承单元包括：其上放置有所述基板的支承件、围绕放置在所述支承件上的所述基板的边缘环、设置在所述边缘环下方的阻抗调节构件、以及可变地调节所述阻抗调节构件的温度的温度调节构件。

所述阻抗调节构件可由介电常数根据温度变化的材料制成。

所述装置还可包括控制所述温度调节构件的控制器。所述控制器可控制所述温度调节构件，以随着所述边缘环的腐蚀量增加，改变所述阻抗调节构件的介电常数。

所述控制器可控制所述温度调节构件，以随着所述边缘环的腐蚀量增加，增加所述阻抗调节构件的介电常数。

所述装置还可包括测量所述边缘环的腐蚀量的腐蚀测量构件。所述控制器可接收由所述腐蚀测量构件测量的腐蚀量。

所述阻抗调节构件可由含有氧化镁的介电物质形成。

所述介电物质可含有10wt％至50wt％的氧化镁。

所述装置还可包括控制所述温度调节构件的控制器。所述控制器可基于所述边缘环的腐蚀量来控制所述温度调节构件的温度。

所述阻抗调节构件可在第一温度下具有最高的介电常数、在低于所述第一温度的范围内具有随温度升高而增加的介电常数、以及在高于所述第一温度的范围内具有随温度升高而降低的介电常数。当所述边缘环的腐蚀量增加时，所述控制器可控制所述温度调节构件，在低于所述第一温度的范围内升高所述阻抗调节构件的温度，并在高于所述第一温度的范围内降低所述阻抗调节构件的温度。

所述阻抗调节构件可具有环形形状，其具有对应于所述边缘环的下部的形状的上表面。