[发明专利]利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法

权利要求书

1.利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法，其特征在于，包括以下步骤：将智能功率半导体模块置入模具中，注塑封装，完成智能功率半导体模块产品翘曲的改善；所述模具包括注塑下模、注塑上模；所述注塑下模设有下凹槽；所述注塑上模设有上凹槽；所述下凹槽的底面设有朝上的球面结构；所述下凹槽与上凹槽组成注塑腔；所述上凹槽的底面设有朝上的球面结构，或者所述上凹槽的底面设有朝下的球面结构，或者所述上凹槽的底面为平面；所述下凹槽底面的球面结构表面设有槽结构；所述槽结构的底面为球面形；所述注塑上模设有顶针。

2.根据权利要求1所述利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法，其特征在于，所述智能功率半导体模块包括引线框架、散热基板、元件；上凹槽下表面的边缘与下凹槽上表面的边缘对齐；上凹槽侧壁和/或下凹槽侧壁为倾斜结构；注塑上模与注塑下模之间设有左空隙、右空隙；所述模具还包括顶针安装板；所述顶针一端安装在顶针安装板上，一端穿出注塑上模；所述顶针安装板位于注塑上模上方。

3.根据权利要求1所述利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法，其特征在于，当顶针为两个或者两个以上时，所有顶针距离注塑上模中心点的长度都一样；所述顶针朝着下凹槽底面；所述顶针与顶针安装板之间为弹簧连接。

4.根据权利要求1所述利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法，其特征在于，所述下凹槽中，球面结构的长度为下凹槽的底面长度，宽度为下凹槽的底面宽度，所述球面结构与垂直面交界处的弧线的二次函数方程为y=cx²+d，c为-1～0，d为0～100。

5.根据权利要求1所述利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法，其特征在于，所述球面形的长度为槽结构的长度、宽度为槽结构的宽度；下凹槽中，所述球面形的球心与球面结构的球心在同一竖直线上。

6.根据权利要求1所述利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法，其特征在于，所述球面形与垂直面交界处的弧线的二次函数方程为y=ax²+b，a为-1～0，b为0～100；所述槽结构的深度为0.02~0.03mm。

7.根据权利要求1所述利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法，其特征在于，将智能功率半导体模块置入下凹槽中，智能功率半导体模块的散热基板与下凹槽底面的球面结构接触，然后盖上注塑上模，顶针与智能功率半导体模块接触；然后注入树脂进行注塑；注塑完成后进行固化；固化完成后自然冷却；最后开模完成智能功率半导体模块产品翘曲的改善。

8.根据权利要求7所述利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法，其特征在于，注塑与固化的温度为170～180℃，固化的时间为170～200秒。

9.根据权利要求1所述利用模具改善智能功率半导体模块产品翘曲的方法，其特征在于，槽结构的长度小于散热基板下底面外露铜层的长度，槽结构的宽度小于散热基板下底面外露铜层的宽度。

10.模具在改善智能功率半导体模块产品翘曲中的应用，其特征在于，所述模具包括注塑下模、注塑上模；所述注塑下模设有下凹槽；所述注塑上模设有上凹槽；所述下凹槽的底面设有朝上的球面结构；所述下凹槽与上凹槽组成注塑腔；所述上凹槽的底面设有朝上的球面结构，或者所述上凹槽的底面设有朝下的球面结构，或者所述上凹槽的底面为平面；所述下凹槽底面的球面结构表面设有槽结构；所述槽结构的底面为球面形；所述注塑上模设有顶针。