[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及显示面板在审
| 申请号： | 201910258828.X | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN110007536A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈黎暄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管阵列基板 高反射介质 显示面板 背光源 介质层 光生载流子 可见光反射 可见光照射 寄生电容 上导电层 非导电 波长 源层 申请 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
一基板；
于所述基板上形成的非导电遮光层，所述非导电遮光层包括至少两个高反射介质层，所述高反射介质层包括第一介质层和第二介质层且所述第一介质层设置于靠近所述基板的一侧，所述第一介质层对可见光的折射率大于所述第二介质层和所述基板对可见光的折射率，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度均为30纳米-90纳米，或，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度均为105纳米-130纳米；
于所述非导电遮光层上方形成的有源层；
于所述有源层上方形成的导电层；
所述可见光的波长为420纳米-520纳米。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述非导电遮光层包括四个所述高反射介质层。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅层，所述第二介质层为氧化硅层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一介质层的厚度为60纳米-80纳米且所述第二介质层的厚度为60纳米-80纳米。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一介质层的厚度为60纳米，所述第二介质层的厚度为70纳米。
6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一介质层为二氧化钛层，所述第二介质层为氧化硅层。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一介质层的厚度为30纳米-60纳米，所述第二介质层的厚度为80纳米-90纳米。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一介质层的厚度为45纳米，所述第二介质层的厚度为90纳米。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一介质层的厚度为105纳米-130纳米，所述第二介质层的厚度为105纳米-130纳米。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
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