[发明专利]进气装置及化学气相沉积设备

说明书

本揭示提供一种进气装置及化学气相沉积设备，包括送气装置、与送气装置相连接的挡板以及气体缓存装置，其中，气体缓存装置还包括节流板与扩散板，节流板上设置有若干气孔，所述节流板与送气装置相靠近的区域上的气孔的孔径小，节流板与送气装置越远离的区域上的气孔的孔径越大，气体通过节流板上不同孔径大小的气孔后，气体变得均匀，在后续沉积成膜时，提高了成膜质量。

技术领域

本揭示涉及CVD进气系统，尤其涉及一种进气装置及化学气相沉积设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)，是指反应物质在气态的条件下，在装置衬底的表面发生反应形成薄膜的过程。CVD设备是生产发光二极管(LightEmitting Diode，LED)的关键设备。

在CVD设备工作时，通过调整工艺气体以及工艺温度，进而在LED的衬底上沉积各种薄膜，因此，在沉积过程中，反应腔内的条件对成膜质量有重要的影响。现有CVD设备中，大都使用的挡板(Baffle Plate，BP)和扩散板(Diffuser)对传输气体进行分布控制，当气体经进气管进入，通过BP向Diffuser扩散进而进入反应腔室内，但是由于CVD设备的混合气体进气管道与扩散板之间的位置的关系，反应气体在经过扩散板进入反应室时，从中心往四周扩散，这种扩散形式不能实现完全分布均匀，腔体中心的气流大，而腔体边缘处的气流小，在薄膜的沉积过程中，这种气体扩散的不均匀性造成薄膜沉积不均匀，影响薄膜质量。

综上所述，CVD设备中在通入气流，当气流通过挡板及扩散板时，腔内各部位的分布及流速不均匀，这种扩散不均匀的气流在反应成膜时，薄膜的沉积不均匀，使得薄膜良率下降。

发明内容

本揭示提供一种进气装置及化学气相沉积设备，以解决CVD气相沉积设备中，气流在经过挡板及扩散板时，气体扩散不均匀、进气流量均匀度不一致，进而成膜质量差等问题。

为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：

根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种进气装置，包括：

送气装置、与送气装置相连接的挡板以及气体缓存装置；

其中，所述气体缓存装置与所述挡板相连接，

其中，所述气体缓存装置还包括节流板与扩散板，所述节流板上还设置有多个气孔，所述节流板与所述送气装置越靠近的区域上的所述气孔的孔径越小，所述节流板与所述送气装置越远离的区域上的所述气孔的所述孔径越大；

所述扩散板设置在所述气体缓存装置的底部。

根据本揭示一实施例，所述节流板为圆形节流板，所述节流板上的所述气孔的所述孔径由所述节流板的中心向所述节流板的圆周方向逐渐增大。

根据本揭示一实施例，所述节流板为可拆卸的拼接式节流板。

根据本揭示一实施例，所述扩散板上各区域的多个扩散孔的孔径大小相同。

根据本揭示一实施例，所述扩散板为圆形板。

根据本揭示一实施例，所述送气装置的送气口与所述节流板的中心区域相对。

根据本揭示一实施例，所述，所述扩散板上还设置有多个扩散孔，所述节流板与所述扩散板之间形成气体缓冲区。

根据本揭示一实施例，所述挡板与所述节流板之间的距离不大于所述节流板与所述扩散板之间的距离。

根据本揭示一实施例，所述挡板的表面积不小于所述节流板的表面积。

根据本揭示的第二方面，还提供了一种化学气相沉积设备，所述进气设备包括本揭示提供的所述进气装置。

综上所述，本揭示实施例的有益效果为：