[发明专利]清理方法

说明书

一实施方式所涉及的清理方法为等离子体处理装置的载置台的清理方法，具备去除形成在载置台上的反应产物的工序。去除反应产物的工序具备将伪晶片载置于载置台的工序、使载置台的温度上升的工序以及在使载置台的温度上升后进行反应产物的去除的工序。使载置台的温度上升的工序中，打开将从载置台的热交换部排出且经压缩后的制冷剂冷凝并供给到热交换部的冷凝器的输出端与热交换部的输入端之间的膨胀阀的同时向载置台输入热量，并且打开将从热交换部排出的制冷剂压缩并供给到冷凝器的压缩器的输出端与热交换部的输入端之间的分流阀的同时调节分流阀的开度，由此使载置台的温度上升。

技术领域

本公开的示例性实施方式涉及一种清理方法。

背景技术

在半导体制造装置中通过等离子体处理等对晶片等被处理体进行成膜以及蚀刻等加工时，需要调节温度。例如，在专利文献1(日本特表2008-501927号公报)以及专利文献2(日本特表2011-501092号公报)中，公开了热控制方法及其系统。

发明内容

在一实施方式中，提供一种等离子体处理装置的部件的清理方法。该清理方法具备去除形成在设置于等离子体处理装置且载置被处理体的载置台上的反应产物的工序。载置台具备设置于等离子体处理装置且进行基于制冷剂的热交换的热交换部。去除反应产物的工序具备将伪晶片(dummy wafer)载置于载置台的工序、使载置台的温度上升的工序以及在使载置台的温度上升后进行反应产物的去除的工序。使载置台的温度上升的工序中，打开将从热交换部排出且经压缩后的制冷剂冷凝并供给到热交换部的冷凝器的输出端与热交换部的输入端之间的膨胀阀的同时向载置台输入热量，并且打开将从热交换部排出的制冷剂压缩并供给到冷凝器的压缩器的输出端与热交换部的输入端之间的分流阀的同时调节分流阀的开度，由此使载置台的温度上升。

附图说明

图1是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的结构的一例的图。

图2是表示包含本公开的一实施方式所涉及的清理方法的处理内容的流程图。

图3是表示能够形成在载置台上的反应产物的图。

图4是表示图1所示的温度调节系统的动作的一例的时序图。

图5是表示表示了本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的制冷循环的一例的Ph线图(莫里尔图，Mollier chart)的图。

图6是示意地表示使用本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的等离子体处理装置的结构的一例的图。

图7是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的结构(第1实施例)的图。

图8是例示沿图7所示的X1-X1线切割的下部电极的截面的一方式的图。

图9是表示表示了本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的制冷循环的一例的Ph线图(莫里尔图)的图。

图10是用于与图9一同对本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的制冷循环进行说明的图。

图11是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的另一结构(第2实施例)的图。

图12是例示沿图11所示的X2-X2线切割的下部电极的截面的一方式的图。

图13是例示沿图11所示的X2-X2线切割的下部电极的截面的另一方式的图。

图14是用于举例说明图11所示的温度调节系统的动作的图。

图15是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的另一结构(第3实施例)的图。

图16是表示本公开的一实施方式所涉及的温度调节系统的另一结构(第4实施例)的图。