[发明专利]半导体互连结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体互连结构制作方法，其特征在于，包括：

提供上表面为第一介质层的第一半导体结构，所述第一介质层包括第一导电结构；

于所述第一介质层上制作第二半导体结构，所述第二半导体结构的上表面包括第二介质层，所述第二介质层包括第二导电结构；

在所述第二介质层进行光刻制程，以制作底部露出所述第一导电结构的第一垂直通孔、底部露出所述第二导电结构的第二垂直通孔以及位于所述第二介质层中与所述第一垂直通孔、所述第二垂直通孔上表面相交的导线沟槽，其中所述第一垂直通孔且经过所述第一介质层和所述第二半导体结构；

一次性填充导电材料于所述第一垂直通孔、所述第二垂直通孔和所述导线沟槽，以形成连接所述第一导电结构和所述第二导电结构的互连结构，所述互连结构包括位于所述第二介质层的第三导电结构、连通所述第二导电结构和所述第三导电结构的第四导电结构和连通所述第一导电结构和所述第三导电结构的第五导电结构。

2.如权利要求1所述的半导体互连结构制作方法，其特征在于，所述在所述第二介质层进行光刻制程包括：

通过第一光刻制程在所述第二介质层上蚀刻所述导线沟槽；

通过第二光刻制程在所述导线沟槽的下表面蚀刻所述第一垂直通孔，使所述第一垂直通孔经过所述第二半导体结构和所述第一介质层，底部露出所述第一导电结构；

通过第三光刻制程在所述导线沟槽的下表面蚀刻所述第二垂直通孔，使所述第二垂直通孔的底部露出所述第二导电结构。

3.如权利要求1所述的半导体互连结构制作方法，其特征在于，所述在所述第二介质层进行光刻制程包括：

通过第一光刻制程在所述第二半导体结构和所述第一介质层中蚀刻所述第一垂直通孔，使所述垂直通孔的底部露出所述第一导电结构；

通过第二光刻制程在所述第二介质层上蚀刻所述导线沟槽；

通过第三光刻制程在所述导线沟槽的下表面蚀刻所述第二垂直通孔，使所述第二垂直通孔的底部露出所述第二导电结构。

4.如权利要求1所述的半导体互连结构制作方法，其特征在于，所述在所述第二介质层进行光刻制程包括：

通过第一光刻制程在所述第二半导体结构和所述第一介质层中蚀刻所述第一垂直通孔，使所述垂直通孔的底部露出所述第一导电结构；

通过第二光刻制程在所述第二介质层中蚀刻所述第二垂直通孔，使所述第二垂直通孔的底部露出所述第二导电结构；

通过第三光刻制程在所述第二介质层上蚀刻连通所述第一垂直通孔和所述第二垂直通孔的所述导线沟槽。

5.如权利要求1所述的半导体互连结构制作方法，其特征在于，所述第一导电结构为焊盘或导线，所述第二导电结构为焊盘或导线，所述第三导电结构为导线。

6.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：

第一半导体结构，上表面为第一介质层，所述第一介质层包括第一导电结构；

第二半导体结构，键合于所述第一介质层，上表面为第二介质层；

第二导电结构，位于所述第二介质层；

第三导电结构，位于所述第二介质层的上表面；

第四导电结构，下表面连接于所述第二导电结构，上表面连接于所述第三导电结构；

第五导电结构，经过所述第一介质层和所述第二半导体结构，下表面连接于所述第一导电结构，上表面连接于所述第三导电结构；

其中，所述第三导电结构、所述第四导电结构和所述第五导电结构通过同一次导电材料填充制程形成。