[发明专利]一种减少芯片切割边缘崩边的工艺

权利要求书

1.一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，其特征在于：该工艺主要包括以下步骤：

步骤a：下料，选取一片晶圆；

步骤b：将晶圆背面覆盖一层背胶，然后在晶圆表面设置硅片，而后在硅片表面设置凸块引脚，以制成芯片；

步骤c：将步骤b制成的芯片放入烤箱中，而后将烤箱温度设定为120℃，使芯片在120℃的环境中烘烤两小时，进行一次固化，固化后继续进行植球、激光打标工序；

步骤d：将步骤c完成后的芯片再度放入烤箱中，此时烤箱温度设定在90-100℃之间，时间为一小时，进行二次固化；

步骤e：将步骤d固化后的芯片放入切割机中，而后设定程序，并沿着切割道的方向依次进行切割；

步骤f：对步骤e切割后的产品进行检验。

2.根据权利要求1所述的一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，其特征在于：所述步骤b中背胶为环氧树脂材料，且采用涂布或粘贴的方式将背胶覆盖在晶圆的背面。

3.根据权利要求1所述的一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，其特征在于：所述步骤b中硅片的内部含有内部逻辑电路和封装层。

4.根据权利要求1所述的一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，其特征在于：所述步骤d在进行二次固化时，增加固化处理的制程。

5.根据权利要求1所述的一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，其特征在于：所述步骤f中检验产品主要采用金像显微镜，先对产品进行光功能测试，再进行外观检验。