[发明专利]一种减少芯片切割边缘崩边的工艺

说明书

本发明公开了一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，涉及晶圆级封装技术领域，该工艺通过在芯片切割前再进行一次固化处理，使芯片在稍低温的条件下，实现背胶和硅片结合充分，同时更加充分释放背胶和硅片的应力，以解决现有技术中未能充分释放芯片材料应力，导致芯片切割时芯片边缘发生裂纹的问题，达到防止芯片切割时芯片边缘发生裂纹问题的效果，以便于芯片后续的切割，方便晶圆级的封装。

技术领域

本发明属于晶圆级封装技术领域，具体涉及一种减少芯片切割边缘崩边的工艺。

背景技术

目前，晶圆级封装的市场正以惊人的速度增长，其流行的主要原因是它可将封装尺寸减小到和IC芯片一样大小以及其加工的成本低，比如一片8英寸的晶圆上，可以做到七八万个芯片，而这些芯片，当我们完成表面封装后，需要将其一个一个切割下来，但是在切割芯片时，需要沿着切割道方向依次进行切割，这时候由于材料应力的存在，切割时会引起芯片侧面产品裂痕问题，本发明通过在切割前再进行一次固化处理，使芯片在稍低温的条件下，实现背胶和硅片结合充分，同时更加充分释放背胶和硅片的应力，达到防止芯片切割时芯片边缘发生裂纹问题的效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，通过在切割前再进行一次固化处理，使芯片在稍低温的条件下，实现背胶和硅片结合充分，同时更加充分释放背胶和硅片的应力，以解决上述背景技术中提出的如何充分的释放应力，减少切割时芯片边缘发生裂纹的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种减少芯片切割边缘崩边的工艺，其特征在于：所述该工艺主要包括以下步骤：

步骤a：下料，选取一片晶圆；

步骤b：将晶圆背面覆盖一层背胶，然后在晶圆表面设置硅片，而后在硅片表面设置凸块引脚，以制成芯片；

步骤c：将步骤b制成的芯片放入烤箱中，而后将烤箱温度设定为120℃，使芯片在120℃的环境中烘烤两小时，进行一次固化，固化后继续进行植球、激光打标等其他工序；

步骤d：将步骤c完成后的芯片再度放入烤箱中，此时烤箱温度设定在90-100℃之间，时间为一小时，进行二次固化；

步骤e：将步骤d固化后的芯片放入切割机中，而后设定程序，并沿着切割道的方向依次进行切割；

步骤f：对步骤e切割后的产品进行检验。

优选的，所述步骤b中背胶为环氧树脂材料，且采用涂布或粘贴的方式将背胶覆盖在晶圆的背面。

优选的，所述步骤b中硅片的内部含有内部逻辑电路和封装层。

优选的，所述步骤d在进行二次固化时，增加固化处理的制程。

优选的，所述步骤f中检验产品主要采用金像显微镜，先对产品进行光功能测试，再进行外观检验。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过在芯片切割前再进行一次固化处理，使芯片在稍低温的条件下，实现背胶和硅片结合充分，同时更加充分释放背胶和硅片的应力，以解决现有技术中未能充分释放芯片材料应力，导致芯片切割时芯片边缘发生裂纹的问题，达到防止芯片切割时芯片边缘发生裂纹问题的效果，以便于芯片后续的切割，方便晶圆级的封装。

附图说明

图1为现有芯片切割后横截面裂口的结构示意图；

图2为本发明芯片的剖面图；

图中：1-芯片；2-背胶；3-凸块引脚；4-裂口。

具体实施方式