[发明专利]量子点柔性OLED显示装置及制备方法在审
申请号: | 201910265683.6 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN110021652A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 杨中国 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 封装膜 衬底 制备 彩膜基板 黑色矩阵 粘合剂层 阻挡层 膜层 彩色滤光膜 双面密封胶 蓝光OLED 内部器件 能力增强 发光层 粘合 水氧 阻隔 上层 合并 | ||
1.一种量子点柔性OLED显示装置,其特征在于,包括:
第一阻挡层;
第一柔性衬底,位于所述第一阻挡层上;
TFT层,位于所述第一柔性衬底上;
蓝光OLED发光层,位于所述TFT层上;
第一封装膜层,位于所述TFT层上并覆盖所述蓝光OLED发光层;
粘合剂层,位于所述TFT层上并覆盖所述第一封装膜层;
其中,所述粘合剂层的上方设置有量子点彩膜基板,所述量子点彩膜基板包括第二阻挡层、第二柔性衬底、彩色滤光膜、黑色矩阵以及量子点膜层,所述量子点彩膜基板上设置有第二封装膜层,所述第二封装膜层完全覆盖所述黑色矩阵以及所述量子点膜层,所述粘合剂层的上层边缘与所述第二柔性衬底粘合并完全覆盖所述第二封装膜层。
2.根据权利要求1所述的量子点柔性OLED显示装置,其特征在于,所述第一封装膜层包括由下到上层叠设置的第一无机阻水层、缓冲层以及第二无机阻水层,所述第二无机阻水层位于所述第一无机阻水层的表面并完全覆盖所述缓冲层;所述粘合剂层为双面密封胶,所述第二封装膜层为第三无机阻水层。
3.根据权利要求2所述的量子点柔性OLED显示装置,其特征在于,所述粘合剂层的下表面完全覆盖所述第一无机阻水层,所述粘合剂层的上表面完全覆盖所述第三无机阻水层。
4.根据权利要求2所述的量子点柔性OLED显示装置,其特征在于,所述第一无机阻水层、所述第二无机阻水层以及所述第三无机阻水层的材质为SiNx、SiON、SiOx、Al2O3以及SiO2中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的量子点柔性OLED显示装置,其特征在于,所述量子点膜层的材料包括聚合物基质及分散于聚合物基质中的量子点。
6.根据权利要求5所述的量子点柔性OLED显示装置,其特征在于,所述聚合物基质为树脂透明材料,所述树脂透明材料包括丙烯酸系树脂、环氧树脂、环烯烃聚合物、有机硅烷类树脂以及纤维酯中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的量子点柔性OLED显示装置,其特征在于,所述黑色矩阵包括多个子黑色矩阵,相邻两所述子黑色矩阵之间设置有所述彩色滤光膜。
8.根据权利要求7所述的量子点柔性OLED显示装置,其特征在于,所述彩色滤光膜为红色子彩膜、绿色子彩膜以及蓝色子彩膜中的任意一种。
9.一种量子点柔性OLED显示装置的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
S 10,提供一玻璃基板,在所述玻璃基板上依次制备第一柔性衬底以及TFT层,形成柔性TFT基板,在所述柔性TFT基板上通过蒸镀或喷墨打印制作单色蓝光器件,形成蓝光OLED发光层;
S20,在所述TFT层的表面制备第一封装膜层,所述第一封装膜层完全覆盖所述蓝光OLED发光层;
S30,提供一玻璃盖板,在所述玻璃盖板的表面依次制备第二柔性衬底、彩色滤光膜、黑色矩阵以及量子点膜层;
S40,在所述第二柔性衬底上制备第二封装膜层,所述第二封装膜层完全覆盖所述彩色滤光膜、所述黑色矩阵以及所述量子点膜层;
S50,使用双面密封胶将所述第一封装膜层与所述第二封装膜层粘结,所述双面密封胶经过加热机加热固化后形成粘合剂层,所述粘合剂层的下表面完全覆盖所述第一封装膜层,所述粘合剂层的上表面完全覆盖所述第二封装膜层;
S60,将所述第一柔性衬底与所述玻璃基板分离,在所述第一柔性衬底的表面贴合一阻隔膜形成第一阻挡层,将所述第二柔性衬底与所述玻璃盖板分离,在所述第二柔性衬底的表面贴合另一阻隔膜形成第二阻挡层,最后得到所述量子点柔性OLED显示装置。
10.根据权利要求9所述的量子点柔性OLED显示装置的制备方法,其特征在于,所述S20中,所述第一封装膜层包括由下到上层叠设置的第一无机阻水层、缓冲层以及第二无机阻水层,所述第二无机阻水层位于所述第一无机阻水层的表面并完全覆盖所述缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的