[发明专利]量子点柔性OLED显示装置及制备方法在审
申请号: | 201910265683.6 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN110021652A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 杨中国 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 封装膜 衬底 制备 彩膜基板 黑色矩阵 粘合剂层 阻挡层 膜层 彩色滤光膜 双面密封胶 蓝光OLED 内部器件 能力增强 发光层 粘合 水氧 阻隔 上层 合并 | ||
一种量子点柔性OLED显示装置及制备方法,包括:第一阻挡层、第一柔性衬底、TFT层、蓝光OLED发光层、第一封装膜层、粘合剂层、第二封装膜层以及量子点彩膜基板;所述量子点彩膜基板包括第二阻挡层、第二柔性衬底、彩色滤光膜、黑色矩阵以及量子点膜层,所述第二封装膜层完全覆盖所述黑色矩阵以及所述量子点膜层,所述粘合剂层的上层边缘与所述第二柔性衬底粘合并完全覆盖所述第二封装膜层。本发明所提供的量子点柔性OLED显示装置及制备方法,将OLED器件的封装膜层与量子点的封装膜层使用双面密封胶粘合,从而使OLED器件以及量子点对水氧的阻隔能力增强,降低量子点柔性OLED显示装置内部器件被氧化的风险,提高量子点柔性OLED显示装置的寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种量子点柔性OLED显示装置及制备方法。
背景技术
目前由于量子点材料(Quantum Dot,QD)本身所具有的高色纯度、光谱连续可调等优异性质,使其成为21世纪最为优秀的发光材料,可以在显示色域上大幅度提高现有液晶显示器的色彩表现,因此近年来其显示应用被广泛研究。OLED(有机电发光器件)拥有自发光、超轻薄、响应速度快、宽视角等特性,蓝光OLED器件(BOLED)是理想的量子点激发光源。因此量子点蓝光OLED器件的结合(QD-BOLED)制作的面板将同时拥有量子点与OLED的优点,从而提升产品性能。
但是量子点和OLED都容易受水汽影响,必须进行封装。目前量子点液晶显示器的主流封装是将薄膜之间夹有量子点的片状材料贴在背光源和液晶面板之间,但在QD-BOLED面板中,量子点材料在面板内部,因此此封装方法并不适用于QD-BOLED的封装。由于量子点和OLED都容易受水汽影响,对于大尺寸柔性OLED面板来说其封装技术面临很大的技术难点。因此需要开发新的封装方法和结构来对QD-BOLED电视面板进行封装。
综上所述,现有的量子点柔性OLED显示装置,由于量子点膜层以及OLED器件容易受水汽影响,导致量子点膜层以及OLED器件被氧化,进一步导致量子点柔性OLED显示装置的寿命降低。
发明内容
本发明提供一种量子点柔性OLED显示装置及制备方法,能够保护量子点膜层以及OLED器件免受水汽腐蚀而导致寿命降低,以解决现有的量子点柔性OLED显示装置,量子点膜层以及OLED器件容易受水汽影响,导致量子点膜层以及OLED器件被氧化,进一步导致量子点柔性OLED显示装置的寿命降低的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种量子点柔性OLED显示装置,包括:第一阻挡层、第一柔性衬底、TFT层、蓝光OLED发光层、第一封装膜层以及粘合剂层;
其中,所述粘合剂层的上方设置有量子点彩膜基板,所述量子点彩膜基板包括第二阻挡层、第二柔性衬底、彩色滤光膜、黑色矩阵以及量子点膜层,所述量子点彩膜基板上设置有第二封装膜层,所述第二封装膜层完全覆盖所述黑色矩阵以及所述量子点膜层,所述粘合剂层的上层边缘与所述第二柔性衬底粘合并完全覆盖所述第二封装膜层。
根据本发明一优选实施例,所述第一封装膜层包括由下到上层叠设置的第一无机阻水层、缓冲层以及第二无机阻水层,所述第二无机阻水层位于所述第一无机阻水层的表面并完全覆盖所述缓冲层;所述粘合剂层为双面密封胶,所述第二封装膜层为第三无机阻水层。
根据本发明一优选实施例,所述粘合剂层的下表面完全覆盖所述第一无机阻水层,所述粘合剂层的上表面完全覆盖所述第三无机阻水层。
根据本发明一优选实施例,所述第一无机阻水层、所述第二无机阻水层以及所述第三无机阻水层的材质为SiNx、SiON、SiOx、Al2O3以及SiO2中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的