[发明专利]一种半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括基板以及基板上堆叠的多层结构，多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列，

半导体发光序列自最邻近基板一侧开始依次包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；

用于外部打线的第一电极，通过第一电连接层与第一导电类型半导体层电性连接；

用于外部打线的第二电极，通过第二电连接层与第二导电类型半导体层电性连接；

半导体发光序列、第一电极和第二电极位于基板的同侧；

其特征在于：第二电连接层包括第一部分和第二部分，第一部分位于绝缘层一侧，第二部分自绝缘层一侧的第一部分延伸穿过绝缘层至第一电连接层同侧，并与第二电极连接，第二电连接层的第二部分未设置在第二电极下方的中心位置。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述第二电连接层的第二部分通过绝缘层上的孔洞延伸穿过绝缘层，绝缘层上的孔洞未位于第二电极下方的中心位置。

3.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述的绝缘层上的贯穿的孔洞为环状或柱状或锥形，环状或柱状或锥形为一个或多个。

4.根据权利要求2或3所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述绝缘层的孔洞位于第二电极竖直下方相对于中心更靠近边缘的位置或未位于第二电极竖直下方。

5.根据权利要求4所述的一种半导体发光器件，其特征在于：第二电极下方的面自中心到边缘至少一半的半径范围与绝缘层表面重叠。

6.根据权利要求2或3所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述的第二电极下方的面积与第二电连接层的第二部分的面积比为4/5~5/6。

7.根据权利要求1或3所述的一种半导体发光器件，其特征在于：半导体发光序列包括至少一个孔，孔的开口位于第一导电类型半导体层一侧，并具有底部接触第二导电类型半导体层，所述的第二电连接层通过第一导电类型半导体层一侧的孔的开口填充至孔的底部，孔的侧壁通过绝缘层绝缘。

8.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：第一电极和第二电极的底部处于同一高度位置。

9.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述绝缘层在第一电连接层和第二电连接层之间的厚度为100nm~5000nm。

10.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述绝缘层的莫氏硬度至少为6。

11.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述的第一电连接层或第二电连接层为单层或多层金属堆叠形成。

12.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述的第一电连接层具有欧姆接触层和反射层。

13.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：第二电连接层具有欧姆接触层和键合层。

14.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述第二电连接层的第二部分包括至少一种金属或金属合金。

15.根据权利要求1所述的一种半导体发光器件，其特征在于：所述绝缘层的莫氏硬度至少为7。