[发明专利]一种半导体发光器件

说明书

一种半导体发光器件，包括基板以及基板上的多层结构，多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；用于外部打线的第一电极，通过第一电连接层与第一导电类型半导体层电性连接；用于外部打线的第二电极，通过第二电连接层与第二导电类型半导体层电性连接；半导体发光序列、第一电极和第二电极位于基板的同侧；其特征在于：第二电连接层包括第一部分和第二部分，第一部分位于绝缘层一侧，第二部分自绝缘层一侧的第一部分延伸穿过绝缘层至第一电连接层同侧，并与第二电极连接，第二电连接层的第二部分未设置在第二电极下方的中心位置。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件，更具体地讲，涉及一种通过改变电极布置结构能够以高电流执行操作并提高发光效率的半导体发光器件。

背景技术

半导体发光器件包括发射光的材料。被广泛地用于诸如照明装置、显示装置和光源的应用中。通常，半导体结发光器件具有p型半导体和n型半导体的结结构，并且在两种类型的半导体之间形成活性层，以激发光发射。在半导体结构中，可通过电子和空穴在两种类型的半导体的区域处的复合而发射光。根据用于半导体层的电极的位置，半导体结发光器件具有竖直结构和水平结构。水平结构包括正装结构、垂直结构和芯片倒装结构。 然而在大电流密度需求下，为了良好的电流扩展，需要电极与外延半导体接触面积大，传统的正装结构和竖直结构电极面积的增加，会导致出光面的减少，倒装结构的衬底会导致光的吸收。基于此，通过支撑基板支撑半导体序列的背面侧，PN电极位于支撑基板与半导体之间，将PN电极都从发光半导体序列出光面的背面侧引出，在电极不遮挡出光的情况下，保证了大电流的良好扩展。

发明内容

为了进一步提高电极的稳定性，本发明提供一种半导体发光器件，包括基板以及基板上堆叠的多层结构，多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列，

半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；

用于外部打线的第一电极，通过第一电连接层与第一导电类型半导体层电性连接；

用于外部打线的第二电极，通过第二电连接层与第二导电类型半导体层电性连接；

半导体发光序列、第一电极和第二电极位于基板的同侧；

第二电连接层包括第一部分和第二部分，第一部分位于绝缘层一侧，第二部分自绝缘层一侧的第一部分延伸穿过绝缘层至第一电连接层同侧用于电性连接第二电极，第二电连接层的第二部分未设置在第二电极下方的中心位置。

更优选的，所述第二电连接层的第二部分通过绝缘层上的孔洞延伸穿过绝缘层，绝缘层上的孔洞未位于第二电极竖直下方的中心位置。

更优选的，所述的绝缘层上的贯穿的孔洞为环状或柱状或锥形，环状或柱状或锥形为一个或多个。

更优选的，所述绝缘层的孔洞位于第二电极竖直下方相对于中心更靠近边缘的位置或未位于第二电极竖直下方。

更优选的，第二电极下方的面上自中心到边缘至少一半的半径范围与绝缘层表面重叠。

更优选的，所述的第二电极下方的面积与第二电连接层的第二部分的面积比为4/5~5/6，或者更优选的，两者的面积相等。

更优选的，第一导电类型半导体层一侧具有底部接触第二导电类型半导体层的至少一个孔，所述的第二电连接层通过第一导电类型半导体层一侧的孔填充至孔的底部。

更优选的，第一电极和第二电极的底部处于同一高度位置。

更优选的，所述绝缘层在第一电连接层和第二电连接层之间的厚度为100nm~5000nm。

更优选的，所述绝缘层的莫氏硬度至少为6，更优选的至少为7。