[发明专利]显示面板及其制作方法在审
| 申请号： | 201910269044.7 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110120394A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 胡小波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构层 源层 像素电极层 衬底基板 显示面板 漏极层 化层 源极 半导体层 光刻工艺 漏极电极 源极电极 钝化层 钛离子 制作 | ||
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
有源层，设于所述衬底基板上；
结构层，设于所述有源层上，并包括源极及漏极层，及半导体层；
饨化层，设于所述结构层上；及
像素电极层，设于所述钝化层上，并连接于所述结构层；
其中所述源极及漏极层注入钛离子，并包括由光刻工艺形成的源极电极及漏极电极。
2.如权利要求1的显示面板，其特征在于，所述源极及漏极层包括钼金属层及位于所述钼金属层上的铜金属层，且所述钛离子和所述铜金属层的铜原子共同形成铜钛合金层。
3.如权利要求2的显示面板，其特征在于，所述铜钛合金层的钛离子的比例为0.1％-5％。
4.如权利要求2的显示面板，其特征在于，所述铜钛合金层的厚度为10埃-200埃。
5.如权利要求1的显示面板，其特征在于，所述有源层包括栅极层及覆盖所述栅极层的栅极绝缘层，且所述栅极层具有复合膜结构，其包括钼及铜。
6.如权利要求1的显示面板，其特征在于，所述半导体层包括氧化铟镓锌。
7.一种制作显示面板的方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成包括有栅极层及栅极绝缘层的有源层；
在所述有源层上沉积包括源极及漏极层，及半导体层的结构层；
对所述源极及漏极层注入钛离子；
在所述源极及漏极层进行光刻工艺，并形成源极电极及漏极电极；
及
在所述结构层上依次沉积钝化层及像素电极层。
8.如权利要求7的制作显示面板的方法，其特征在于，所述源极及漏极层的形成包括：在所述有源层上依次沉积钼金属层及位于所述钼金属层上的铜金属层，且所述钛离子和所述铜金属层的铜原子共同形成铜钛合金层。
9.如权利要求8的制作显示面板的方法，其特征在于，所述铜钛合金层的钛离子的比例为0.1％-5％。
10.如权利要求7的制作显示面板的方法，其特征在于，所述栅极层通过光刻工艺形成栅极，且所述栅极层具有复合膜结构，其包括钼及铜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
