[发明专利]显示面板及其制作方法在审
申请号: | 201910269044.7 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN110120394A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 胡小波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构层 源层 像素电极层 衬底基板 显示面板 漏极层 化层 源极 半导体层 光刻工艺 漏极电极 源极电极 钝化层 钛离子 制作 | ||
一种显示面板,包括衬底基板、有源层、结构层、饨化层及像素电极层。有源层设于所述衬底基板上。结构层设于有源层上,并包括源极及漏极层,及半导体层。饨化层设于结构层上,及像素电极层设于钝化层上,并连接于结构层。源极及漏极层注入钛离子,并包括由光刻工艺形成的源极电极及漏极电极。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
【背景技术】
随着平板显示技术的发展,人们对显示器尺寸、分辨率和画面刷新速率的追求越来越高。现今平板显示器,无伦是液晶显示器或有机发光显示器,都以薄膜晶体管阵列基板为主要组成部件,用于向显示器提供驱动电路,以达到更佳的显示效果。所述薄膜晶体管阵列基板通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线,其共同定义多个像素单元。每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连,当栅极扫描线上的电压达到开启电压时,薄膜晶体管的源极和漏极导通,从而将数据线上的数据电压输入至像素电极,进而控制相应像素区域的显示。
此外,由于铜的导电性远比铝较佳,为了提升显示效能,显示器件更采用铜取代铝作为导电金属材料。但是铜(Cu)膜做为导电层时,和显示器件内的玻璃基板以及介电层的附着力较差。尤其是低温沉积介电层,在经过韧炼高温制程后,容易造成铜膜或是介电层结构出现剥离现象,影响显示效果,甚至造成显示器件失效。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法,其可有效地增强源极及漏极层和介电层之间的附着力,降低膜层剥离的风险。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板,包括衬底基板;有源层,设于所述衬底基板上;结构层,设于所述有源层上,并包括源极及漏极层,及半导体层;饨化层,设于所述结构层上;及像素电极层,设于所述钝化层上,并连接于所述结构层;其中所述源极及漏极层注入钛离子,并包括由光刻工艺形成的源极电极及漏极电极。
依据本发明的一实施例,所述源极及漏极层包括钼金属层及位于所述钼金属层上的铜金属层,且所述钛离子和所述铜金属层的铜原子共同形成铜钛合金层。
依据本发明的另一实施例,所述铜钛合金层的钛离子的比例为0.1%-5%。
依据本发明的另一实施例,所述铜钛合金层的厚度为10埃-200埃。
依据本发明的另一实施例,所述有源层包括栅极层及覆盖所述栅极层的栅极绝缘层,且所述栅极层具有复合膜结构,其包括钼及铜。
依据本发明的另一实施例,所述半导体层包括氧化铟镓锌。
本发明另外提供一种制作显示面板的方法,包括在衬底基板上形成包括有栅极层及栅极绝缘层的有源层;在所述有源层上沉积包括源极及漏极层,及半导体层的结构层;对所述源极及漏极层注入钛离子;在所述源极及漏极层进行光刻工艺,并形成源极电极及漏极电极;及在所述结构层上依次沉积钝化层及像素电极层。
依据本发明的一实施例,所述源极及漏极层的形成包括:在所述有源层上依次沉积钼金属层及位于所述钼金属层上的铜金属层,且所述钛离子和所述铜金属层的铜原子共同形成铜钛合金层。
依据本发明的另一实施例,所述铜钛合金层的钛离子的比例为0.1%-5%。
依据本发明的另一实施例,所述栅极层通过光刻工艺形成栅极,且所述栅极层具有复合膜结构,其包括钼及铜。
本发明的显示面板及其制作方法,利用钛离子注入所述源极及漏极层的铜金属层,使所述所述铜金属层的表面形成铜钛合金层,再通过光刻工艺形成源极电极及漏极电极,所述铜钛合金层可大幅提升所述源极及漏极层与所述钝化层之间的附着力,避免发生膜层之间剥离,确保显示器件的显示正常。本发明的显示面板及其制作方法有效解决传统铜膜层容易剥离,造成显示器件失效的问题。
【附图说明】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的