[发明专利]液晶无机配向薄膜的制造方法在审

专利信息
申请号: 201910270034.5 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN110109293A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 张宇 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 配向 薄膜 液晶 膜层 锶氧 镧钇 烘烤 制造 硝酸钇溶液 硝酸锶溶液 硝酸镧溶液 氧化铟锡层 介电常数 静置反应 溶液反应 溶液涂布 涂布步骤 带隙 混和
【说明书】:

发明公开一种液晶无机配向薄膜的制造方法,包括:混和步骤,包括将硝酸镧溶液、硝酸钇溶液、以及硝酸锶溶液放置到一容器中,并且搅拌混合所述溶液达一段搅拌时间;静置反应步骤,包括将搅拌混合后的溶液静置达一段静置时间,以使所述溶液反应生成包括镧钇锶氧以及硝酐的配向溶液;涂布步骤,包括将所述配向溶液涂布到一氧化铟锡层的表面上以形成一包括镧钇锶氧以及硝酐的膜层;以及烘烤步骤,包括对所述膜层进行烘烤以使所述膜层中的镧钇锶氧结晶而形成一液晶无机配向薄膜。本发明制造方法所制造出的液晶无机配向薄膜同时具有较高的介电常数和较宽的带隙。

技术领域

本发明是有关于一种液晶无机配向薄膜的制造方法,其制备过程所需的配向溶液的制备方法简单,性能稳定。

背景技术

与有机材料相比,无机材料作为配向层的优势在于:因无机材料电容值低从而具有很低的阈值电压,从而在驱动过程中需要的能量小。在这些无机材料当中,氧化锶(SrO)具有非常高的介电常数,相对窄的带隙和低的击穿电压;因此在其中刚加入镧(La)和钇(Y),因为其具有相对较大的带隙和较高击穿电压,从而使得氧化锶(SrO)同时获得了较高的介电常数和较宽的带隙。幷且多组分材料具有更加优秀的成膜性能。

溶液法的优势在于,镧(La)、钇(Y)、氧化锶(SrO)的组分比可以调节,且退火后形成的结晶薄膜与液晶之间具有较强的范德华力(Van der Waals force),不需要进行专门的配向工艺。

故,有必要提供一种液晶无机配向薄膜的制造方法,以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种无机配向薄膜的制造方法,其制备过程所需的配向溶液的制备方法简单,性能稳定,藉此解决现有技术所存在的问题。

本发明的主要目的在于提供一种液晶无机配向薄膜的制造方法,包括:

混和步骤,包括将硝酸镧(La(NO3)3)溶液、硝酸钇(Y(NO3)3)溶液、以及硝酸锶(Sr(NO3)2)溶液放置到一容器中,并且搅拌混合所述硝酸镧(La(NO3)3)溶液、所述硝酸钇(Y(NO3)3)溶液、以及所述硝酸锶(Sr(NO3)2)溶液达一段搅拌时间;

静置反应步骤,包括将搅拌混合后的硝酸镧(La(NO3)3)溶液、硝酸钇(Y(NO3)3)溶液、以及硝酸锶(Sr(NO3)2)溶液静置达一段静置时间,以使所述硝酸镧(La(NO3)3)溶液、所述硝酸钇(Y(NO3)3)溶液、以及所述硝酸锶(Sr(NO3)2)溶液反应生成包括镧钇锶氧(LaYSr3O6)以及硝酐(N2O5)的配向溶液;

涂布步骤,包括将所述配向溶液涂布到一氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)层的表面上以形成一包括镧钇锶氧(LaYSr3O6)以及硝酐(N2O5)的膜层;以及

烘烤步骤,包括对所述膜层进行烘烤以使所述膜层中的镧钇锶氧(LaYSr3O6)结晶而形成一液晶无机配向薄膜。

在本发明一实施例中,在所述混合步骤是在至少摄氏75度的条件下执行。

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