[发明专利]一种阵列基板及其缺陷修补方法有效
申请号: | 201910270572.4 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN110109303B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 刘梦阳 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 缺陷 修补 方法 | ||
1.一种阵列基板缺陷修补方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S10,提供一待修补的阵列基板,包括显示区、扇出区及绑定区,所述扇出区内间隔的设有从所述显示区内引出的扇出线,所述扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由所述金属引线连接至所述绑定区的端子上;
步骤S20,获取所述扇出区内的所述扇出线的第一缺陷部的位置信息,并获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线;
步骤S30,获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线与所述金属引线之间的第二缺陷部的位置信息,并对所述第二缺陷部进行镭射熔接;
步骤S40,对所述第一缺陷部进行镭射切割,去除所述第一缺陷部的金属残留。
2.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法,其特征在于,所述第二缺陷部位于所述扇出线与所述金属引线转接的所述转接孔处,且所述扇出线与所述金属引线在所述第二缺陷部断开或接触不良。
3.根据权利要求2所述的阵列基板缺陷修补方法,其特征在于,对所述第二缺陷部进行镭射熔接的步骤包括:
对所述转接孔进行镭射,使位于所述转接孔内的所述金属引线呈熔融状态,实现所述扇出线与所述金属引线熔接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板缺陷修补方法,其特征在于,对所述转接孔进行镭射的镭射光斑的直径大于或等于所述转接孔的直径。
5.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法,其特征在于,所述金属残留位于相邻两所述扇出线之间的间隙位置,并且至少短路连接两所述扇出线。
6.根据权利要求5所述的阵列基板缺陷修补方法,其特征在于,对所述第一缺陷部进行镭射切割的步骤包括:
采用镭射切除对应所述间隙位置的所述金属残留,使得所述扇出区内相邻两所述扇出线绝缘设置。
7.根据权利要求6所述的阵列基板缺陷修补方法,其特征在于,进行镭射切割的镭射光斑的直径小于等于相邻两所述扇出线之间的间隙的宽度。
8.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区、扇出区及绑定区,所述扇出区内间隔的设有从所述显示区内引出的扇出线,所述扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由所述金属引线连接至所述绑定区的端子上;
所述扇出区内还包括至少一个第一缺陷部,所述第一缺陷部位于相邻两所述扇出线之间,与所述第一缺陷部相邻的所述扇出线与所述金属引线之间存在第二缺陷部;
所述第一缺陷部经由镭射切割后形成对应所述第一缺陷部的第一修补部,所述第二缺陷部经由镭射熔接后形成对应所述第二缺陷部的第二修补部;
其中,与所述第一修补部相邻的两所述扇出线相互绝缘,对应所述第二修补部的所述扇出线与所述金属引线电性连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第二缺陷部/所述第二修补部位于所述转接孔处,且所述扇出线与所述金属引线在所述第二缺陷部断开或接触不良;所述扇出区内对应所述第一缺陷部的位置存在金属残留,并且至少短路连接两所述扇出线。
10.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第一修补部的宽度小于或等于相邻两所述扇出线之间的间隙宽度。
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