[发明专利]一种阵列基板及其缺陷修补方法有效
申请号: | 201910270572.4 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN110109303B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 刘梦阳 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 缺陷 修补 方法 | ||
本申请提供一种阵列基板及其缺陷修补方法,该阵列基板包括显示区、扇出区及绑定区,扇出区内间隔的设有从显示区内引出的扇出线,扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由金属引线连接至绑定区的端子上;获取扇出区内的扇出线的第一缺陷部的位置信息,并获取第一缺陷部所对应的扇出线;再获取第一缺陷部所对应的扇出线与金属引线之间的第二缺陷部的位置信息,并对第二缺陷部进行镭射熔接,使扇出线与金属引线实现电连接;之后对第一缺陷部存在的金属残留进行镭射切割,使相邻扇出线之间相互绝缘。本申请通过对阵列基板缺陷修补方法的改善,从而解决暗线/区块线等不良现象。
技术领域
本申请涉及阵列基板领域,尤其涉及一种阵列基板及其缺陷修补方法。
背景技术
HVA配向是液晶显示器工艺制程中一个很重要的过程,其主要作用是给成盒后的TFT LCD中的液晶分子一个预倾角,让显示面板工作时液晶分子能更快地转动,以提高面板的响应速度。
主流HVA型液晶显示面板的设计下,为了降低阻抗一般将扇出区(fanout)第一金属层的线路转接至第二金属层再与绑定区端子连接。针对扇出区金属膜残留异常而造成的扇出区线路短路,一般现有的修补手法只针对扇出区线路金属残留部分做镭射切割,而没有注意到因为线路短路造成大电流,会同时把扇出区线路与第二金属层转接的转接孔烧伤,使转接孔处金属断开或接触不良导致信号传输中断,从而在HVA配向时造成配向暗纹,点灯时显示为暗线/区块线。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及其缺陷修补方法,以解决液晶显示面板在HVA配向时造成配向暗纹,点灯时显示为暗线/区块线等不良现象。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供一种阵列基板缺陷修补方法,包括以下步骤:
步骤S10,提供一待修补的阵列基板,包括显示区、扇出区及绑定区,所述扇出区内间隔的设有从所述显示区内引出的扇出线,所述扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由所述金属引线连接至所述绑定区的端子上;
步骤S20,获取所述扇出区内的所述扇出线的第一缺陷部的位置信息,并获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线;
步骤S30,获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线与所述金属引线之间的第二缺陷部的位置信息,并对所述第二缺陷部进行镭射熔接;
步骤S40,对所述第一缺陷部进行镭射切割,去除所述第一缺陷部的金属残留。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中,所述第二缺陷部位于所述扇出线与所述金属引线转接的所述转接孔处,且所述扇出线与所述金属引线在所述第二缺陷部断开或接触不良。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中,对所述第二缺陷部进行镭射熔接的步骤包括:
对所述转接孔进行镭射,使位于所述转接孔内的所述金属引线呈熔融状态,实现所述扇出线与所述金属引线熔接。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中,对所述转接孔进行镭射的镭射光斑的直径大于或等于所述转接孔的直径。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中,所述金属残留位于相邻两所述扇出线之间的间隙位置,并且至少短路连接两所述扇出线。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中,对所述第一缺陷部进行镭射切割的步骤包括:
采用镭射切除对应所述间隙位置的所述金属残留,使得所述扇出区内相邻两所述扇出线绝缘设置。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中,进行镭射切割的镭射光斑的直径小于等于相邻两所述扇出线之间的间隙的宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910270572.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。