[发明专利]多层配线结构体及其制造方法

权利要求书

1.一种多层配线结构体，其特征在于，

所述多层配线结构体通过层叠包含第一及第二配线层的多个配线层而成，具备：

第一导体图案，其设置于所述第一配线层，包含第一主导体层；

层间绝缘膜，其覆盖所述第一配线层，具有使所述第一导体图案的一部分露出的开口部；

第二导体图案，其设置于所述第二配线层，经由所述开口部与所述第一导体图案连接，

所述第二导体图案包含与所述层间绝缘膜相接的籽晶层和设置于所述籽晶层上且由与所述第一主导体层相同的金属材料构成的第二主导体层，

所述籽晶层在所述开口部的底部的至少一部分被除去，由此，在所述开口部的底部的至少一部分，所述第一主导体层和所述第二主导体层不经由所述籽晶层而相接。

2.根据权利要求1所述的多层配线结构体，其特征在于，

所述开口部的内壁面及底部的外周缘部由所述籽晶层覆盖，在由所述外周缘部包围的中央部，所述第一主导体层和所述第二主导体层不经由所述籽晶层而相接。

3.根据权利要求1所述的多层配线结构体，其特征在于，

所述第一及第二主导体层由铜构成。

4.根据权利要求3所述的多层配线结构体，其特征在于，

所述籽晶层由铬、镍、钛、钨、钽或包含这些的任一种的合金或层叠体构成。

5.根据权利要求3或4所述的多层配线结构体，其特征在于，

在所述第一主导体层和所述第二主导体层相接的部分，构成所述第一及第二主导体层的铜的结晶横切规定所述开口部的底部的界面而存在。

6.一种多层配线结构体的制造方法，其特征在于，

所述多层配线结构体层叠包含第一及第二配线层的多个配线层而成，

该制造方法具备：

第一工序，在所述第一配线层形成包含第一主导体层的第一导体图案；

第二工序，形成覆盖所述第一配线层的层间绝缘膜；

第三工序，在所述层间绝缘膜形成使所述第一主导体层的一部分露出的开口部；

第四工序，在所述层间绝缘膜上及所述开口部内形成籽晶层；

第五工序，通过除去形成于所述开口部的底部的籽晶层的至少一部分，使所述第一主导体层露出；以及

第六工序，在所述籽晶层上及所述第一主导体层的露出的部分上形成由与所述第一主导体层相同的金属材料构成的第二主导体层。

7.根据权利要求6所述的多层配线结构体的制造方法，其特征在于，

在所述第五工序中，部分地除去形成于所述开口部的底部的籽晶层以使所述第一主导体层和所述籽晶层的接触部分残留。

8.根据权利要求7所述的多层配线结构体的制造方法，其特征在于，

在所述第六工序中，通过经由所述籽晶层的供电的电解镀敷形成所述第二主导体层。

9.根据权利要求8所述的多层配线结构体的制造方法，其特征在于，

所述籽晶层包含下层籽晶层和上层籽晶层，所述下层籽晶层由铬、镍、钛、钨、钽或包含这些的任一种的合金或层叠体构成，所述上层籽晶层由铜构成。