[发明专利]多层配线结构体及其制造方法

说明书

一种防止籽晶层的破坏引起通孔导通不良的多层配线结构体，具备：导体图案(P1a)，设于配线层(L1)并包含主导体层(13)；层间绝缘膜(61)，覆盖配线层(L1)，具有露出导体图案(P1a)一部分的开口部(61a)；导体图案(P2a)，设于配线层(L2)并经开口部(61a)与导体图案(P1a)连接。导体图案(P2a)包含与层间绝缘膜(61)相接的籽晶层(21、22)和设于籽晶层(21、22)由与主导体层(13)相同的金属材料构成的主导体层(23)。籽晶层(21、22)在开口部(61a)的底部被部分地除去，由此在开口部(61a)的底部主导体层(13)和主导体层(23)不经籽晶层(21、22)相接。主导体层(13)和主导体层(23)具有直接接触的部分因而通孔不会导通不良。

技术领域

本发明涉及多层配线结构体及其制造方法，特别是，涉及电子部件及电路基板等中包含的多层配线结构体及其制造方法。

背景技术

电子部件及电路基板有时包含经由层间绝缘膜层叠多个配线层而成的多层配线结构体。在多层配线结构体中，为了提高导体图案和层间绝缘膜的密接性，有时使用由铬(Cr)等构成的密接层。例如，专利文献1中所记载的电路基板通过在铜配线的上表面设置由铬(Cr)等构成的密接层，确保与覆盖铜配线的层间绝缘膜的密接性。

而且，在专利文献1中，通过在层间绝缘膜上形成导通孔而使铜配线露出，然后，通过无电解镀敷形成镀敷膜。但是，与电解镀敷相比，无电解镀敷不仅成膜率低，而且存在加工成本高的问题。因此，期望进行电解镀敷代替无电解镀敷，但该情况下需要用于供电的薄的籽晶层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-127155号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，当在导通孔内形成籽晶层时，在下层的配线层和上层的配线层之间残存籽晶层。籽晶层由铬(Cr)等金属材料构成，因为与作为主导体层的材料使用的铜(Cu)的热膨胀系数不同，所以当进行热冲击试验或吸湿回流测试或防潮动作试验等严酷的试验时，由于在籽晶层和主导体层的界面产生的应力籽晶层被破坏，由此，有时通孔会成为导通不良。另外，因为导体图案和层间绝缘膜的热膨胀系数及吸湿性不同，所以在将主导体层及层间绝缘膜设定的较厚的情况下，进行上述那样的严酷的试验时，由于在籽晶层和主导体层的界面产生的应力从而籽晶层被破坏，由此，有时通孔会成为导通不良。

因此，本发明的目的在于，提供一种能够防止籽晶层的破坏引起的通孔的导通不良的多层配线结构体及其制造方法。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的多层配线结构体是层叠包含第一及第二配线层的多个配线层而成的多层配线结构体，其特征在于，具备：第一导体图案，其设置于第一配线层，包含第一主导体层；层间绝缘膜，其覆盖第一配线层，具有使第一导体图案的一部分露出的开口部；第二导体图案，其设置于第二配线层，经由开口部与第一导体图案连接，第二导体图案包含与层间绝缘膜相接的籽晶层、和设置在籽晶层上并由与第一主导体层相同的金属材料构成的第二主导体层，籽晶层在开口部的底部的至少一部分被除去，由此，在开口部的底部的至少一部分，第一主导体层和第二主导体层不经由籽晶层相接。

根据本发明，因为在开口部的底部的至少一部分除去籽晶层，所以在开口部的底部的至少一部分第一主导体层和第二主导体层直接接触。因此，假设即使产生了籽晶层的破坏，由于第一主导体层和第二主导体层具有直接接触的部分，所以不会成为导通不良。

在本发明中，也可以是，开口部的内壁面及底部的外周缘部由籽晶层覆盖，在由外周缘部包围的中央部，第一主导体层和第二主导体层不经由籽晶层相接。据此，由于能够经由籽晶层向第一主导体层供电，因此，能够不向第一主导体层进行另外给电，通过电解镀敷在开口部内形成第二主导体层。并且，因为开口部的外周缘部由籽晶层覆盖，所以也能够防止构成开口部的外周缘部的层间绝缘膜的边缘的剥离。