[发明专利]垂直纳米线晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种垂直纳米线晶体管的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上沿垂直方向依次堆叠形成至少一个器件层；

每个所述器件层的形成方法包括：

形成具有通孔的第一隔离层；

在所述通孔中形成第一源漏区；

在所述第一源漏区上形成沟道区，在所述沟道区上形成第二源漏区；包括外延生长沟道层；在所述沟道层上形成外延源漏层；在外延源漏层之上生长第一覆盖层，在所述通孔之上的第一覆盖层中形成开口，在所述开口中形成掩膜层，以所述掩膜层为隐蔽，刻蚀去除所述掩膜层之外的第一覆盖层以及外延源漏层、沟道层，以形成第二源漏区和沟道区，其中，刻蚀后的沟道层为沟道区，刻蚀后的外延源漏层为第二源漏区；

以及环绕所述沟道区形成栅堆叠，环绕所述第二源漏区形成第二隔离层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述开口所采用的掩膜版为形成所述通孔的掩膜版。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅堆叠的形成方法包括：

生长栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质层和栅极；

去除所述掩膜层之上的栅堆叠；

以所述掩膜层为掩蔽，回刻所述栅堆叠直至所述栅堆叠高度与所述沟道区平齐；

去除所述掩膜层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述器件层为多个，所述至少一个器件层中相邻器件层的第一源漏区和第二源漏区依次相接。

5.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述器件层为多个，所述至少一个器件层中相邻器件层之间以第三隔离层隔离。