[发明专利]一种金属层蚀刻速率的监控方法及其装置在审
申请号: | 201910275629.X | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN110085536A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 刘三泓;周杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃基板 蚀刻 金属层 光信号发射器 光信号接收器 光罩 种金属层 信号发射器 标识作用 表面制备 平面垂直 蚀刻装置 发射 穿透性 垂直地 发射光 接收光 时间点 监控 连线 膜厚 穿过 申请 | ||
本申请提供一种金属层蚀刻速率的监控方法及其装置,金属层蚀刻装置包括:玻璃基板,表面制备有待蚀刻的金属层;光信号发射器,设置于玻璃基板的一侧,用于向玻璃基板垂直地发射穿透性光信号;光信号接收器,相对光信号发射器设置于玻璃基板的另一侧,用于接收光信号发射器发射的穿过玻璃基板的光信号;光罩,设置于光信号发射器与光信号接收器之间,且三者的连线与玻璃基板的平面垂直,用于起标识作用;其中,玻璃基板通过光罩时,光信号发射器发射光信号并通过光罩射向玻璃基板,从玻璃基板进入蚀刻段时起至光信号接收器接收到光信号的时间点为金属层蚀刻完成所用的蚀刻时间,根据金属层的膜厚以及蚀刻时间用于获得金属层的蚀刻速率。
技术领域
本申请涉及金属蚀刻技术领域,尤其涉及一种金属层蚀刻速率的监控方法及其装置。
背景技术
在TFT-LCD生产过程中,金属层的蚀刻需要使用化学药液进行,但蚀刻速率无法实时监控,当药液特性发生变化造成蚀刻不足或者过刻时,只能通过检测金属层蚀刻的厚度才能确认蚀刻状况,无法及时发现,从而会造成产品批次性差异。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本申请提供一种金属层蚀刻速率的监控方法及其装置,能够实时监控金属层的蚀刻速率,避免蚀刻液特性发生变化造成蚀刻不足或者过刻。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供一种金属层蚀刻装置,包括:
玻璃基板,表面制备有待蚀刻的金属层;
光信号发射器,设置于所述玻璃基板的一侧,用于向所述玻璃基板垂直地发射穿透性光信号;
光信号接收器,相对所述光信号发射器设置于所述玻璃基板的另一侧,用于接收所述光信号发射器发射的穿过所述玻璃基板的光信号;
光罩,设置于所述光信号发射器与所述光信号接收器之间,且三者的连线与所述玻璃基板的平面垂直,用于起标识作用;
其中,所述玻璃基板通过所述光罩时,所述光信号发射器发射所述光信号并通过所述光罩射向所述玻璃基板,从所述玻璃基板进入蚀刻段时起至所述光信号接收器接收到所述光信号的时间点为所述金属层蚀刻完成所用的蚀刻时间,根据所述金属层的膜厚以及所述蚀刻时间获取所述金属层的蚀刻速率。
在本申请的金属层蚀刻装置中,所述金属层蚀刻装置还包括:
多个喷嘴,用于向所述金属层喷洒蚀刻液,所述喷嘴喷洒的所述蚀刻液的喷洒面积覆盖并大于整个所述玻璃基板;
多个滚轮,用于将承载在其上的所述玻璃基板向预设方向移动;
其中,所述喷嘴设在所述玻璃基板的上方,且位于所述光信号接收器的下方,多个所述喷嘴与多个所述滚轮上下相对一一对应布置。
在本申请的金属层蚀刻装置中,所述光信号发射器、所述光信号接收器以及所述光罩对应位于相邻两个所述喷嘴/所述滚轮之间的位置。
在本申请的金属层蚀刻装置中,一个所述光信号发射器与一个所述光信号接收器以及一个所述光罩组成一个光信号感应模组,所述光信号感应模组的个数为多个。
在本申请的金属层蚀刻装置中,所述光信号感应模组沿所述玻璃基板移动方向间隔分布。
本申请还提供一种金属层蚀刻速率的监控方法,应用于上述金属层蚀刻装置,所述监控方法包括以下步骤:
记录所述玻璃基板进入蚀刻段开始进行蚀刻时的时间点为蚀刻始点,在所述玻璃基板通过所述光罩时,控制所述光信号发射器向所述玻璃基板发射穿透性光信号,且保持发射状态;
在所述金属层进行蚀刻的过程中,控制所述光信号接收器实时监控是否有光信号从所述玻璃基板穿透出来;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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