[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成第一金属层，用于形成栅极；

在所述第一金属层上形成绝缘层，用作栅极绝缘层；

在所述绝缘层上形成有源层，用于形成源区和漏区；

在所述有源层上形成一定厚度的光阻层；

对所述光阻层进行分区域曝光、显影，去除所述光阻层上的部分光阻；所述分区域曝光的区域包括不透光区域、半透光区域和全透光区域；

对所述绝缘层、有源层进行蚀刻处理，在所述绝缘层上蚀刻有通孔；

在所述绝缘层上形成第二金属层，用于形成源极和漏极；

所述蚀刻处理对所述有源层和所述绝缘层进行蚀刻，所述蚀刻处理包括第一蚀刻处理和第二蚀刻处理；所述第一蚀刻处理去除所述全透光区域下的所有所述有源层和所述全透光区域下一定厚度的所述绝缘层；所述第二蚀刻处理去除所述半透光区域下的所有所述有源层和所述全透光区域下的剩余所述绝缘层；

所述第一蚀刻处理后，所述全透光区域下所述绝缘层的剩余蚀刻量，与所述第二蚀刻处理半透光区的有源层在相同时间内的蚀刻量相同；

其中，所述薄膜晶体管包括自下而上依次堆叠的所述基板、所述第一金属层、所述绝缘层；所述绝缘层上设置有堆叠的硅层和电子型半导体层，用于形成源区和漏区，并设置有所述第二金属层；

所述第一金属层和所述第二金属层通过所述通孔相连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述有源层由硅组成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，采用半色调工艺对所述光阻层进行分区域曝光。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述有源层欲形成所述源区和漏区处正上方的区域为不透光区域，进行不曝光处理；

所述薄膜晶体管像素处正上方的区域为半透光区域，进行半曝光处理；

所述绝缘层欲形成所述通孔处正上方的区域为全透光区域，进行全曝光处理。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一蚀刻处理结束后，对所述半透光区域的所述光阻层进行灰化处理，清除所述半透光区域的全部光阻。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述灰化处理结束后，进行第二蚀刻处理。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二蚀刻处理结束后，进行剥膜处理，清除剩余的所述光阻层。

8.一种薄膜晶体管，使用如权利要求1-7 中任一项制造方法制得，其特征在于，包括：

第一金属层，位于基板之上，用作栅极层；

绝缘层，位于所述栅极层之上，用作栅极绝缘；所述绝缘层上开有通孔；

第二金属层，位于所述绝缘层上，用作源极和漏极；

其中，所述第一金属层和所述第二金属层通过所述通孔直接相连接。