[发明专利]定位装置、装载和/或卸载系统以及用于操作定位装置的方法在审
申请号: | 201910284486.9 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN110364469A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 弗洛里安·埃恩;马丁·内策尔;安德列亚斯·霍费尔;马尔科·阿波洛尼 | 申请(专利权)人: | 徽拓真空阀门有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/677 |
代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 余文娟 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片运输 定位装置 装载 容器定位装置 定位机构 卸载站 卸载位置 卸载系统 无接触 晶片 卸载 联接 | ||
1.一种定位装置,尤其是晶片运输容器定位装置,用于将晶片运输容器(10a-d)定位在至少设置用于从所述晶片运输容器(10a-d)装载和卸载晶片(12a-d)的装载和/或卸载站(14a-d)的装载和/或卸载位置处,其特征在于定位机构(16a-d),所述定位机构(16a-d)设置用于在所述晶片运输容器(10a-d)与所述装载和/或卸载站(14a-d)的联接过程中对所述晶片运输容器(10a-d)进行无接触的定位。
2.根据权利要求1所述的定位装置,其特征在于,所述定位机构(16a-d)设置用于所述晶片运输容器(10a-d)在所述装载和/或卸载位置处的近距离定位。
3.根据权利要求1或2所述的定位装置,其特征在于,所述定位机构(16a-d)设置成如此定位所述晶片运输容器(10a-d),使得与理想装载和/或卸载位置的偏差最多为3mm。
4.根据前述权利要求中任一项所述的定位装置,其特征在于控制和/或调节单元(18a-d),所述控制和/或调节单元(18a-d)设置成借助所述定位机构(16a-d)控制和/或调节所述晶片运输容器(10a-d)的定位。
5.根据前述权利要求中任一项所述的定位装置,其特征在于,所述定位机构(16a-d)包括至少一个定位元件(20a-d,20'a-d,22a-d,22'a-d,24a-d,24'a-d,92b-d),所述定位元件设置成产生至少一个定位力场。
6.根据权利要求5所述的定位装置,其特征在于,所述定位机构(16a-d)包括至少一个另外的定位元件(20a-d,20'a-d,22a-d,22'a-d,24a-d,24'a-d,92b-d),所述另外的定位元件设置成产生至少一个另外的定位力场。
7.根据前述权利要求中任一项所述的定位装置,其特征在于,所述定位机构(16a-d)设置成产生至少一个排斥力用于定位。
8.至少根据权利要求5所述的定位装置,其特征在于,至少一个定位元件(20a-d,20'a-d,22a-d,22'a-d,24a-d,24'a-d,92b-d)至少设置成产生实现为磁场的至少一个定位力场。
9.至少根据权利要求5所述的定位装置,其特征在于,至少一个定位元件(20a-d,20'a-d,22a-d,22'a-d,24a-d,24'a-d,92b-d)至少部分地实现为永磁体(26a-d)。
10.至少根据权利要求5所述的定位装置,其特征在于,至少一个定位元件(20'a,22'a,24'a)实现为至少部分地与所述晶片运输容器(10a-d)成一体。
11.至少根据权利要求5所述的定位装置,其特征在于,至少一个定位元件(20a-d,20'a-d,22a-d,22'a-d,24a-d,24'a-d,92b-d)与所述装载和/或卸载站(14a-d)不可脱落地连接。
12.根据权利要求11所述的定位装置,其特征在于,所述定位元件(20b-c,20'b-c,22b-c,22'b-c,24b-c,24'b-c,92b)被支承为相对于所述装载和/或卸载站(14b-c)可移动。
13.至少根据权利要求5所述的定位装置,其特征在于,至少一个定位元件(20c-d,22c-d,24c-d,92c-d)设置成产生实现为流动气体的流场的至少一个定位力场。
14.根据前述权利要求中任一项所述的定位装置,其特征在于,所述定位机构(16d)具有至少一个喷嘴(28d),用于产生至少部分定向的气体流,其中,所述气体流对准至少大致平行于所述定位装置的联接方向(30d)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造