[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：

埋设介电层(buried dielectric layer)；

第一栅极结构，设置于该埋设介电层的前侧；

第二栅极结构，设置于该埋设介电层的背侧；

第一源/漏极区和第二源/漏极区，设置于该第一栅极结构和该第二栅极结构之间；

第一接触结构，设置于该埋设介电层的该前侧，并且电耦合至该第一源/漏极区；以及

第二接触结构，设置于该埋设介电层的该背侧，并且电耦合至该第二源/漏极区。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一源/漏极区和该第二源/漏极区设置于该埋设介电层的该前侧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该埋设介电层的厚度介于250埃(Angstrom)至1000埃之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，另包括前侧内连线结构，设置于该埋设介电层的该前侧，且电耦合至该第一栅极结构。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，另包括第一栅极接触结构，设置于该埋设介电层的该前侧，并且电耦合至该第一栅极结构。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，另包括接触插塞，穿透该埋设介电层，并且电耦合至该第一接触结构。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，另包括第二栅极接触结构，设置于该埋设介电层的该背侧，并且电耦合至该第二栅极结构。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，另包括：

层间介电层，设置于该埋设介电层的该背侧，并覆盖住该第二栅极结构；以及

多个导电图案，沿着该层间介电层的表面而设置，其中该些导电图案分别电耦合至该第二栅极结构、该第一源/漏极区和该第二源/漏极区。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中该些导电图案彼此间互相分离。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中该第一栅极结构、该第二栅极结构、该第一源/漏极区和该第二源/漏极区属于射频开关的部件。

11.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：

埋设介电层；

至少两个第一栅极结构，设置于该埋设介电层的前侧；

至少两个第二栅极结构，设置于该埋设介电层的背侧，其中该些第二栅极结构彼此之间互相电耦合；

栅极接触结构，设置于该埋设介电层的该背侧，并且电耦合至该些第二栅极结构；以及

接触插塞，穿透该埋设介电层，并且电耦合至该栅极接触结构。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，另包括：

层间介电层，设置于该埋设介电层的该背侧，并覆盖住该些第二栅极结构；以及

多个导电图案，沿着该层间介电层的表面而设置，其中该些导电图案分别电耦合至该栅极接触结构和该接触插塞。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，另包括两组内连线结构，设置于该埋设介电层的该前侧，且分别电耦合至各该第一栅极结构。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中该些第二栅极结构各自包括栅极电极，且该些栅极电极的功函数数值彼此不同。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中该些第一栅极结构和该些第二栅极结构属于射频开关的部件。