[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201910284570.0 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN111816710A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 马瑞吉;温晋炀;王黎;程凯 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本发明公开一种半导体装置,其包括埋设介电层、第一栅极结构、第二栅极结构、第一源/漏极区、第二源/漏极区、第一接触结构和第二接触结构。其中,第一栅极结构和第二栅极结构分别设置于埋设介电层的前侧和背侧,第一源/漏极区和第二源/漏极区会被设置于第一栅极结构和第二栅极结构之间,第一接触结构会被设置于埋设介电层的前侧且电耦合至第一源/漏极区,第二接触结构设置于埋设介电层的背侧且电耦合至第二源/漏极区。
技术领域
本发明涉及一种使用于射频开关中的半导体装置,特别是涉及一种采用硅覆绝缘基底的半导体装置。
背景技术
在集成电路制作工艺方面,硅覆绝缘基底越来越受到重视,特别是在射频电路的应用方面,射频硅覆绝缘基底(RF-SOI)的应用越来越广泛,已经有逐步取代传统的外延硅的趋势。
目前,硅覆绝缘基底搭配射频技术主要应用于智能型手机、Wi-Fi等无线通讯领域,3G/4G手机用的射频器件,目前大部分已经从传统的化合物半导体升级到射频硅覆绝缘基底技术。硅覆绝缘基底是指在硅基底上形成绝缘体的意思,原理就是在硅基底内,加入绝缘体物质,以进行阻抗值的调整,达到射频元件特性的提升。
随着通讯技术步入5G的世代,相应射频元件的截止电容(Coff)和源/漏极寄生电容(Cds)也需要进一步降低,以符合高频的需求。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种具有双栅极结构的半导体装置,以解决上述问题。
根据本发明一实施例,提供一种半导体装置,包括埋设介电层、第一栅极结构、第二栅极结构、第一源/漏极区、第二源/漏极区、第一接触结构和第二接触结构。其中,第一栅极结构和第二栅极结构分别设置于埋设介电层的前侧和背侧,第一源/漏极区和第二源/漏极区会被设置于第一栅极结构和第二栅极结构之间,第一接触结构会被设置于埋设介电层的前侧且电耦合至第一源/漏极区,第二接触结构设置于埋设介电层的背侧且电耦合至第二源/漏极区。
为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂,下文特举优选实施方式,并配合所附的附图,作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制者。
附图说明
图1是本发明第一实施例半导体装置在特定制作工艺阶段的剖面示意图;
图2是本发明第一实施例半导体装置被键合至另一载板上且半导体基底被移除后的剖面示意图;
图3是本发明第一实施例半导体装置在形成背栅极结构后的剖面示意图;
图4是本发明第一实施例半导体装置在形成接触结构后的剖面示意图;
图5是本发明第一实施例半导体装置在形成导电垫后的剖面示意图;
图6是本发明第二实施例的半导体装置的剖面示意图;
图7是本发明第三实施例的半导体装置的剖面示意图;
图8是本发明第四实施例的半导体装置的剖面示意图。
主要元件符号说明
10 半导体基底
12 埋设介电层
12-1 前侧
12_2 背侧
14、14_1、14_2 晶体管元件
141-1 第一源/漏区
141-2 第二源/漏区
142 栅极结构
143、143_1、143_2 载流子通道区
16 绝缘结构
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910284570.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有多面层的床上桌
- 下一篇:一种纯圆约翰逊网焊接机
- 同类专利
- 专利分类