[发明专利]磁性随机存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括：

基底，所述基底表面形成有导电接触垫；

位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层且与所述导电接触垫连接的多个磁性存储单元，所述多个磁性存储单元按照矩形阵列单元的阵列形式排布，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结。

2.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，各矩形阵列单元的尺寸相同。

3.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述多个磁性存储单元的磁性隧道结随机排布于各子存储层内。

4.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，同一磁性存储层内各处磁性隧道结的分布密度均匀。

5.根据权利要求4所述的磁性随机存储器，其特征在于，各子存储层内的磁性隧道结以菱形阵列单元或矩形阵列单元的阵列形式排布。

6.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，相邻磁性存储单元的磁性隧道结分别位于不同的子存储层内。

7.根据权利要求6所述的磁性随机存储器，其特征在于，同一行以及同一列的磁性存储单元的磁性隧道结自基底表面向上顺次位于各子存储层内。

8.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，各磁性存储单元还包括导电柱，所述导电柱位于所在磁性存储单元内的磁性隧道结上和/或下方的子存储层内，与所述磁性隧道结电连接。

9.一种磁性随机存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有导电接触垫；

在所述基底上形成连接所述导电接触垫的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括以阵列形式排列的垂直贯穿各子存储层的多个磁性存储单元，所述多个磁性存储单元按照矩形阵列单元的阵列形式排布，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结。

10.根据权利要求9所述的磁性随机存储器的形成方法，其特征在于，各矩形阵列单元的尺寸相同。

11.根据权利要求9所述的磁性随机存储器的形成方法，其特征在于，所述多个磁性存储单元的磁性隧道结随机排布于各子存储层内或者相邻磁性存储单元的磁性隧道结分别位于不同的子存储层内。

12.根据权利要求9所述的磁性随机存储器的形成方法，其特征在于，同一磁性存储层内各处磁性隧道结的分布密度均匀。

13.根据权利要求12所述的磁性随机存储器的形成方法，其特征在于，各子存储层内的磁性隧道结以菱形阵列单元或矩形阵列单元的阵列形式排布。

14.根据权利要求9所述的磁性随机存储器的形成方法，其特征在于，同一行以及同一列的磁性存储单元的磁性隧道结自基底表面向上顺次位于各子存储层内。

15.根据权利要求9所述的磁性随机存储器的形成方法，其特征在于，各磁性存储单元还包括导电柱，所述导电柱位于所在磁性存储单元内的磁性隧道结上和/或下方的子存储层内，与所述磁性隧道结电连接。

16.根据权利要求9所述的磁性随机存储器的形成方法，其特征在于，自所述基底表面向上，逐层形成各子存储层。