[发明专利]一种粗单体分离工艺及系统

权利要求书

1.一种甲基氯硅烷粗单体分离工艺，其特征在于，将来自单体合成的粗单体进入脱高塔，脱高塔的塔釜内粗高沸被送至高沸物塔，脱高塔的塔顶采出的馏出液进入中切塔，所述脱高塔的塔釜温度控制在140-170℃，塔釜压力控制在0.35-0.45MPa；

中切塔的塔顶采出物进入一甲塔，中切塔塔釜采出的粗二甲基二氯硅烷进入精二甲塔，精二甲塔塔顶采出精二甲基二氯硅烷产品，塔顶温度控制在80-100℃，塔顶压力控制在0.05-0.15MPa，精二甲塔塔釜采出的粗高沸物进入高沸物塔；

高沸物塔的塔釜采出高沸物产品，高沸物塔的塔顶采出返回至脱高塔；

一甲塔塔釜采出一甲基三氯硅烷产品，一甲塔塔顶采出的低沸组分进入后续精馏塔分离。

2.如权利要求1所述的甲基氯硅烷粗单体分离工艺，其特征在于，所述中切塔的塔顶温度控制在80-90℃，塔顶压力控制在0.05-0.15MPa。

3.如权利要求1所述的甲基氯硅烷粗单体分离工艺，其特征在于，所述一甲塔的塔釜采出一甲产品，塔顶温度控制在70-80℃，塔顶压力控制在0.03-0.15MPa。

4.如权利要求1所述的甲基氯硅烷粗单体分离工艺，其特征在于，所述高沸物塔的塔釜采出高沸物产品，塔釜温度控制在150-170℃，塔釜压力控制在0.08-0.15MPa。

5.进行权利要求1-4任一项所述的甲基氯硅烷粗单体分离工艺的装置，其特征在于，脱高塔（1）顶部与中切塔（2）连接；

中切塔（2）顶部与一甲塔（4）连接，中切塔（2）底部与精二甲塔（3）连接，脱高塔（1）底部与高沸物塔（5）连接，高沸物塔（5）顶部连接至高沸塔返料装置（11），高沸物塔（5）底部连接至高沸物产品装置（12），一甲塔（4）顶部连接至低沸组分装置（7）；底部连接至一甲产品装置（8）。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，精二甲塔（3）顶部连接至二甲产品装置（9），精二甲塔（3）底部连接至粗高沸物装置（10）。