[发明专利]一种感光器件、TFT阵列基板及其显示面板在审
| 申请号： | 201910287732.6 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110112138A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 卢马才;刘念 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物薄膜晶体管 感光器件 环境光 侦测 可见光 单个薄膜 电性连接 结构设置 显示面板 多层级 响应 晶体管 元器件 漏极 应用 | ||
1.一种感光器件；其特征在于，包括第一氧化物薄膜晶体管和第二氧化物薄膜晶体管；
其中所述第一氧化物薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二氧化物薄膜晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的感光器件；其特征在于，其中所述第一氧化物薄膜晶体管包括顶栅型IGZO TFT、顶栅型IGZTO TFT或BCE型IGZO TFT中的一种。
3.根据权利要求1所述的感光器件；其特征在于，其中所述第二氧化物薄膜晶体管包括顶栅型IGZO TFT、顶栅型IGZTO TFT或BCE型IGZO TFT中的一种。
4.根据权利要求1所述的感光器件；其特征在于，其还包括第三氧化物薄膜晶体管，其中所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极电性连接所述第三氧化物薄膜晶体管的栅极。
5.根据权利要求4所述的感光器件；其特征在于，其中所述第三氧化物薄膜晶体管包括顶栅型IGZO TFT、顶栅型IGZTO TFT或BCE型IGZO TFT中的一种。
6.根据权利要求5所述的感光器件；其特征在于，其中所述第一氧化物薄膜晶体管、第二氧化物薄膜晶体管和第三氧化物薄膜晶体管为同类型氧化物薄膜晶体管。
7.一种TFT阵列基板，其包括基底层；其特征在于，其中所述基底层上设置有根据权利要求1所述的感光器件。
8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述基底层上还设置有检测电路和信号读取电路；
其中所述检测电路的输出端连接所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极端并能向其输入电压，而所述信号读取电路连接所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极端并能读取其电流信号。
9.根据权利要求8所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述第一氧化物薄膜晶体管栅极端输入的预定电压在-25V～-10V。
10.一种显示面板；其特征在于，其包括根据权利要求7所述的TFT阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
