[发明专利]一种感光器件、TFT阵列基板及其显示面板

说明书

本发明提供了一种感光器件，包括第一氧化物薄膜晶体管和第二氧化物薄膜晶体管，其中所述第一氧化物薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二氧化物薄膜晶体管的栅极。其中本发明涉及的所述感光器件，采用多层级设置的氧化物薄膜晶体管结构设置，可以大幅度提升其整体对环境光的响应幅度，突破单个薄膜晶体管对光响应较小而限制其作为可见光侦测元器件应用的限制，从而使得本发明涉及的所述感光器件能够实现对环境光的侦测，扩展了其可应用的范围。

技术领域

本发明涉及平面显示技术领域，尤其是，其中的一种感光器件、TFT阵列基板及其显示面板。

背景技术

已知，随着显示技术的发展，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)以其绝对的优势(成本低、画质好、功耗低等)在显示领域占据了主导地位，如可以应用到电脑、电视机、手机等视听设备中。

这其中，液晶面板的结构通常是由一彩色滤光片基板(Color Filter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate简称TFT基板)、以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。其中所述TFT基板中的薄膜晶体管对于实现正常的显示功能，起到直接的作用。

进一步的，随着技术的不断发展，业界开发出了金属氧化物型的薄膜晶体管，由于其所具有的高迁移率、透明、低亚阈值摆幅等优点，被业界用于下一代显示器件。

但是，单个金属氧化物薄膜晶体管，如IGZO型TFT，由于其采用的金属氧化物半导体材料的光学带隙较大，对可见光响应较低，较难用于显示基板上进行光学检测。其中如图4所示，其图示了在光照条件下与非光照条件下，对所述金属氧化物薄膜晶体管的Id-Vg特性影响。

很明显如图4中所示，其所在的TFT阵列基板的光学侦测能力较弱，相应的，也就不适用于业界需要的用作显示屏内指纹识别、环境光侦测等应用，进而也就不利于其作为下一代显示器件的应用。

因此，确有必要来开发一种新型的感光器件，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明的一个方面是提供一种感光器件，其采用新型的氧化物薄膜晶体管层级结构设置，有效的提升了其整体对于环境光的响应，进而扩展了其可应用的范围。

本发明采用的技术方案如下：

一种感光器件，包括第一氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin-Film Transistor，TFT)和第二氧化物薄膜晶体管，其中所述第一氧化物薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二氧化物薄膜晶体管的栅极。其中本发明涉及的所述感光器件，采用多层级设置的氧化物薄膜晶体管结构设置，可以大幅度提升其对环境光的响应幅度，突破单个薄膜晶体管对光响应较小而限制其作为可见光侦测元器件应用的限制，从而使得本发明涉及的所述感光器件能够实现对环境光的侦测，从而扩展了其可应用的范围。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一氧化物薄膜晶体管包括顶栅型(Topgate)IGZO(In-Ga-Zn-O)TFT、顶栅型IGZTO(In-Ga-Zn-Sn-O)TFT或BCE(Back ChannelEtched，背沟道刻蚀型)型IGZO TFT中的一种。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二氧化物薄膜晶体管包括顶栅型IGZOTFT、顶栅型IGZTO TFT或BCE型IGZO TFT中的一种。

进一步的，在不同实施方式中，其还包括第三氧化物薄膜晶体管，其中所述第二氧化物薄膜晶体管的漏极电性连接所述第三氧化物薄膜晶体管的栅极。